[发明专利]存储器设备、存储设备、主机及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202111281640.0 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN114464227A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 吴斗焕;李承勋;郑进勋;尹昌镐;韩京希 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G06F1/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新宇
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 设备 存储 主机 及其 操作方法
【说明书】:

提供了一种存储设备的操作方法。所述方法包括:向主机设备提供所述存储设备中的多个易失性存储器设备的每一个的温度信息;以及从所述主机设备接收与所述多个易失性存储器设备的刷新操作相关的设置命令,其中基于温度信息将所述多个易失性存储器设备分类成组,并且其中所述设置命令基于所述温度信息为所述组中的每个组指示要被不同地刷新的所述多个易失性存储器设备的行数。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2020年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0148331的优先权,该专利申请的公开内容以引用的方式全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及存储器设备、存储设备、主机及其操作方法。

背景技术

易失性存储器设备,例如动态RAM(DRAM)设备,将数据存储在单元电容器中。数据以电荷的形式存储在单元电容器中,并且存储在单元电容器中的电荷随着时间而丢失。因此,在单元电容器中存储的电荷完全丢失之前,需要感测和重写数据的刷新操作。

然而,由于电荷丢失量随着DRAM单元的温度升高而增加,因此必须缩短DRAM单元的刷新周期。此外,当DRAM单元处于刷新操作时,可能不执行数据写/读操作,并且由刷新操作消耗的电量较大。因此,当缩短刷新周期并且频繁执行刷新操作时,主机写/读数据的时间减少并且系统性能劣化。此外,频繁的刷新操作增加了DRAM设备的整体功耗。

同时,DRAM模块(例如,双列直插式存储器模块(DI MM))包括设置在模块基板上的多个DRAM设备。根据系统(例如,服务器)中的DRAM模块的安装位置(安装方向),DRAM模块的多个DRAM设备的温度可以彼此不同。例如,直接受风扇产生的气流影响的DRAM设备比不受风扇产生的气流影响的DRAM设备更容易冷却。尽管如上所述,多个DRAM设备中的每一个的温度不同,但是主机以相同的方式刷新所有多个DRAM设备。

发明内容

本公开的方面提供了一种半导体设备及其操作方法、存储设备及其操作方法、主机及其操作方法,其中根据温度调节刷新率以最小化功耗。

然而,本公开的各方面不限于本文阐述的方面。通过参考下面给出的对本公开的详细描述,本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据本公开的方面,提供了一种存储设备的操作方法,其包括:向主机设备提供存储设备中的多个易失性存储器设备的每一个的温度信息;以及从主机设备接收与多个易失性存储器设备的刷新操作相关的设置命令,其中基于温度信息将多个易失性存储器设备分类成组,并且其中设置命令基于温度信息为组中的每个组指示要被不同地刷新的多个易失性存储器设备的行数。

根据本公开的另一方面,提供了一种主机设备的操作方法,其包括:接收存储设备的多个易失性存储器设备的每一个的温度信息;基于多个易失性存储器设备中的每一个的温度信息,将多个易失性存储器设备分类成多个组;以及向存储设备提供对应于多个易失性存储器设备的刷新操作的设置命令,其中设置命令基于温度信息为多个组中的每个组指示要被不同地刷新的多个易失性存储器设备的行数。

根据本公开的又一方面,提供了一种存储设备,其包括:多个第一易失性存储器设备,多个第一易失性存储器设备的每一个具有在第一温度范围内的温度;多个第二易失性存储器设备,多个第二易失性存储器设备中的每一个具有在不同于第一温度范围的第二温度范围内的温度;以及控制器,其配置成根据来自主机设备的第一刷新命令刷新多个第一易失性存储器设备中的第一数量的行,并且根据来自主机设备的第二刷新命令刷新多个第二易失性存储器设备中的不同于第一数量的行的第二数量的行。

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