[发明专利]背照式图像传感器的切割方法及切割装置在审
申请号: | 202111282351.2 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN116072609A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 赵立新;夏欢 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/304;H01L21/67;H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 切割 方法 装置 | ||
1.一种背照式图像传感器的切割方法,其特征在于,包括:
通过至少一次激光切割从背照式图像传感器的入射光面进行切割,并控制切割的深度使背照式图像传感器的感光单元下方的第一金属互连层不被切割,避免因激光切割产生的铜花以及减少后续机械切割产生的崩缺;
通过至少一次机械切割对背照式图像传感器进行切割,获得相互分离的背照式图像传感器,从而提高背照式图像传感器的强度。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述机械切割为通过切割刀切割。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,激光切割的最外部边缘包住切割刀切割的最外部边缘。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,控制激光切割的切割深度使感光单元上方第二金属互连层分离。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,控制激光切割的切割深度使器件晶圆切割一部分。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,控制激光切割的切割深度使器件晶圆完全切割。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过机械切割使第一金属互联层和承载晶圆分离。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金属互连层包括低介电常数材料和金属线。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,激光切割宽度范围为距离切割道或芯片边缘至少5微米到10微米;切割刀切割宽度范围为小于激光切割宽度范围至少5微米到10微米。
10.一种背照式图像传感器的切割控制装置,其特征在于,所述切割控制装置包括至少一个处理器和至少一个存储设备,所述存储设备用于存储指令,当所述至少一个处理器执行所述指令时,实现以下操作:
通过至少一次激光从背照式图像传感器的入射光面进行切割,并控制切割的深度使背照式图像传感器的感光单元下方的第一金属互连层不被切割,避免因激光切割产生的铜花以及减少后续机械切割产生的崩缺;
通过至少一次机械切割对背照式图像传感器进行切割,获得相互分离的背照式图像传感器,从而提高背照式图像传感器的强度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造