[发明专利]具有可程序化单元的半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一下导电层，设置于该基底中；

一隔离层，设置于该基底上；

一第一导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方；

一第二导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方，并与该第一导电层间隔设置；

一导电栓塞，电性耦接到该下导电层；以及

一上导电层，电性耦接到该第一导电层与该第二导电层；

其中该第一导电层具有一第一功函数，该第二导电层具有一第二功函数，而该第二功函数不同于该第一功函数；

其中该下导电层、该隔离层、该第一导电层以及该第二导电层一起配置成一可程序化单元。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电层与该第二导电层包含掺杂多晶硅、掺杂多晶硅锗或其组合，而该第一导电层与该第二导电层具有相同的电类型。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下导电层包含掺杂硅、掺杂锗、掺杂硅锗或其组合，而该下导电层具有一电类型，该电类型相同于该第一导电层与该第二导电层。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一井区，设置于该基底中并围绕该下导电层设置，其中该井区具有一电类型，该电类型与该下导电层相反。

5.如权利要求3所述的半导体元件，还包括多个辅助层，覆盖该第一导电层与该第二导电层，其中该多个辅助层包含硅化钛、硅化镍、硅化镍铂、硅化钽或硅化钴。

6.如权利要求3所述的半导体元件，还包括多个间隙子，设置于该第一导电层的各侧壁上以及设置于该第二导电层的各侧壁上。

7.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下导电层包含钨、铝、钛、铜或其组合。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电层与该第二导电层包含不同材料，该第一导电层包含钨、钴、锆、钽、钛、铝、钌、铜、铂或其组合，而该第二导电层包含钨、钴、锆、钽、钛、铝、钌、铜、铂或其组合。

9.一种半导体元件，包括：

一基底；

一隔离层，设置于该基底上；

一下导电层，设置于该基底中；

一第一栅极结构，包括一第一栅极介电层、一第一功函数层以及一第一填充层，该第一栅极介电层设置于该下导电层上，该第一功函数层设置于该第一栅极介电层上，该第一填充层设置于该第一功函数层上，其中该第一功函数层具有一第一功函数；

一第二栅极结构，包括一第二栅极介电层、一第二功函数层以及一第二填充层，该第二栅极介电层设置于该下导电层上并与该第一栅极介电层间隔设置，该第二功函数层设置于该第二栅极介电层上，该第二填充层设置于该第二功函数层上，其中该第二功函数层具有一第二功函数，该第二功函数不同于该第一功函数；

一导电栓塞，电性耦接到该下导电层；以及

一上导电层，电性耦接到该第一栅极结构与该第二栅极结构；

其中该下导电层、该隔离层、该第一栅极结构以及该第二栅极结构一起配置成一可程序化单元。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一栅极介电层与该第二栅极介电层具有相同厚度。

11.如权利要求10所述的半导体元件，还包括多个间隙子，设置于该第一栅极结构的两侧上以及在该第二栅极结构的两侧上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，还包括一第一湿润层，设置于该第一功函数层与该第一填充层之间，其中该第一湿润层包含钛、钽、镍或钴。

13.如权利要求12所述的半导体元件，还包括一第一阻障层，设置于该第一湿润层与该第一填充层之间，其中该第一阻障层包含氮化钛、氮化钽或其组合。