[发明专利]基于石墨烯FET场效应晶体管的传感器及氨氮离子检测系统有效

专利信息
申请号: 202111282641.7 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN114002301B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 姑力米热·吐尔地;符汪洋;张晓艳 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 陈波
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 石墨 fet 场效应 晶体管 传感器 离子 检测 系统
【权利要求书】:

1.一种用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:包括衬底层、石墨烯层、金属电极和识别探针分子,所述识别探针分子,包括:芘、苝或蒽描定基团、用于氨氮离子相连的活性酯;

所述识别探针分子为如下之一,

或 或。

2.如权利要求1所述的用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述微纳加工器件还包括High-k介质层、石墨烯层,所述High-k介质层位于沉底层上,所述石墨烯层位于所述High-k介质层上,金属电极包括输入电极和输出电极,两者一一对应,镀在所述石墨烯层上,输入电极和输出电极通过石墨烯连接,在所述石墨烯层上修饰用于连接氨氮离子的识别探针分子。

3.权利要求2所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器的制备方法,其特征在于,包括:

第一步,采用原位生长法、化学气相沉积法生长或剥离的单层石墨烯通过湿法转移至包含High-k介质层的衬底材料表面,形成石墨烯/High-k介质层/衬底;

第二步,在所述石墨烯层上旋涂光刻胶,利用光刻技术蚀刻出金属电极的位置;

第三步,在金属电极的位置蒸镀金属电极,形成待修饰器件;

第四步,在第三步的待修饰器件上的石墨烯表面自组装修饰探针分子。

4.如权利要求1或2所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述传感器还包括环氧微加简易工器件树脂层,所述环氧树脂层涂敷于衬底层上,所述石墨烯层倒置于环氧树脂层上,采用微纳加工技术,在所述石墨烯层上通过引线机引出金属电极,金属电极包括输入电极和输出电极,两者一一对应,输入电极和输出电极通过石墨烯连接,在所述石墨烯层上修饰用于连接氨氮离子的识别探针分子。

5.权利要求4所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器制备方法,其特征在于,包括

第一步,在衬底表面均匀涂敷环氧树脂层;

第二步,采用原位生长法、化学气相沉积法生长或剥离的单层石墨烯倒置放置在环氧树脂层上,形成石墨烯/环氧树脂/衬底;

第三步,利用微加工技术,在所述石墨烯层上通过引线机引出金属电极,形成待修饰器件;

第四步,在第三步的待修饰器件上的石墨烯表面自组装修饰探针分子。

6.如权利要求1所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述输出电极和输入电极分别为Cu、Au、Ag等金属中的两两组合或其中的某一种;且一个输入电极对应一个输出电极,输入电极和输出电极之间有石墨烯连接。

7.如权利要求1所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述微纳加工器件用于氨氮离子检测。

8.如权利要求1所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述微纳加工器件在pH10 的NH3/NH4+ 缓冲液中NH2Cl 检测范围为1 pM-10 nM。

9.一种氨氮离子检测系统,其特征在于,包括:权利要求1所述用于检测氨氮离子的传感器、信号发生器、信号采集器与信号分析器和显示器;

所述信号发生器与所述信号氨氮离子传感器的输入电极相连,将形成的电信号发送至输入电极;

所述信号采集器与所述传感器的输出电极相连,采集输出的电信号发送至分析器;该输出信号为:所述氨氮离子传感器中的探针与待测样品反应前后获得的电容信号;

所述信号被分析器接受并对电容信号进行分析,分析待测样品的定量信息,将分析结果发送至显示器显示。

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