[发明专利]基于石墨烯FET场效应晶体管的传感器及氨氮离子检测系统有效
申请号: | 202111282641.7 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114002301B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 姑力米热·吐尔地;符汪洋;张晓艳 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 陈波 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 石墨 fet 场效应 晶体管 传感器 离子 检测 系统 | ||
1.一种用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:包括衬底层、石墨烯层、金属电极和识别探针分子,所述识别探针分子,包括:芘、苝或蒽描定基团、用于氨氮离子相连的活性酯;
所述识别探针分子为如下之一,
或 或。
2.如权利要求1所述的用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述微纳加工器件还包括High-k介质层、石墨烯层,所述High-k介质层位于沉底层上,所述石墨烯层位于所述High-k介质层上,金属电极包括输入电极和输出电极,两者一一对应,镀在所述石墨烯层上,输入电极和输出电极通过石墨烯连接,在所述石墨烯层上修饰用于连接氨氮离子的识别探针分子。
3.权利要求2所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器的制备方法,其特征在于,包括:
第一步,采用原位生长法、化学气相沉积法生长或剥离的单层石墨烯通过湿法转移至包含High-k介质层的衬底材料表面,形成石墨烯/High-k介质层/衬底;
第二步,在所述石墨烯层上旋涂光刻胶,利用光刻技术蚀刻出金属电极的位置;
第三步,在金属电极的位置蒸镀金属电极,形成待修饰器件;
第四步,在第三步的待修饰器件上的石墨烯表面自组装修饰探针分子。
4.如权利要求1或2所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述传感器还包括环氧微加简易工器件树脂层,所述环氧树脂层涂敷于衬底层上,所述石墨烯层倒置于环氧树脂层上,采用微纳加工技术,在所述石墨烯层上通过引线机引出金属电极,金属电极包括输入电极和输出电极,两者一一对应,输入电极和输出电极通过石墨烯连接,在所述石墨烯层上修饰用于连接氨氮离子的识别探针分子。
5.权利要求4所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器制备方法,其特征在于,包括
第一步,在衬底表面均匀涂敷环氧树脂层;
第二步,采用原位生长法、化学气相沉积法生长或剥离的单层石墨烯倒置放置在环氧树脂层上,形成石墨烯/环氧树脂/衬底;
第三步,利用微加工技术,在所述石墨烯层上通过引线机引出金属电极,形成待修饰器件;
第四步,在第三步的待修饰器件上的石墨烯表面自组装修饰探针分子。
6.如权利要求1所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述输出电极和输入电极分别为Cu、Au、Ag等金属中的两两组合或其中的某一种;且一个输入电极对应一个输出电极,输入电极和输出电极之间有石墨烯连接。
7.如权利要求1所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述微纳加工器件用于氨氮离子检测。
8.如权利要求1所述用于检测氨氮离子的基于石墨烯FET 场效应晶体管的传感器,其特征在于:所述微纳加工器件在pH10 的NH3/NH4+ 缓冲液中NH2Cl 检测范围为1 pM-10 nM。
9.一种氨氮离子检测系统,其特征在于,包括:权利要求1所述用于检测氨氮离子的传感器、信号发生器、信号采集器与信号分析器和显示器;
所述信号发生器与所述信号氨氮离子传感器的输入电极相连,将形成的电信号发送至输入电极;
所述信号采集器与所述传感器的输出电极相连,采集输出的电信号发送至分析器;该输出信号为:所述氨氮离子传感器中的探针与待测样品反应前后获得的电容信号;
所述信号被分析器接受并对电容信号进行分析,分析待测样品的定量信息,将分析结果发送至显示器显示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111282641.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。