[发明专利]一种提高嵌入式Flash良率的处理方法及系统

说明书

本发明公开一种提高嵌入式Flash良率的处理方法及系统，属于集成电路领域。对Flash进行擦除后，对Flash每一页进行写操作和读操作，判断该页为正常页还是坏页，出现坏页时直接将该坏页的页地址写入冗余页地址寄存器；当系统总线对Flash进行访问时，将系统总线访问的地址与冗余页地址寄存器中值进行比较，如果比较结果不一致，说明此时系统总线访问的是正常页，无需访问冗余页；如果比较结果一致，说明此时系统总线访问的是坏页，则将冗余页使能位置位，系统总线直接跳过坏页访问冗余备份页；冗余页使能位为1时，表示冗余页替换坏页生效，系统总线对Flash坏页的读写操作都将映射到冗余页上。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种提高嵌入式Flash良率的处理方法及系统。

背景技术

嵌入式Flash在MCU(microcontroller Unit，微控制器)和DSP(Digital SignalProcess，数字信号处理器)中得到越来越广泛的应用，几乎所有的MCU和DSP都带有嵌入式Flash。由于对写入的数据需要长时间保持不丢失，嵌入式Flash设计与制造工艺相对复杂，已成为了整个电路失效的主要来源。据统计，嵌入式Flash的失效占整个电路失效三分之一以上。

嵌入式Flash的失效，会导致系统存储与读取数据错误，进而引起整个系统运行错误。因此嵌入式Flash良率的问题，直接影响整个电路的良率，提高Flash良率的方法受到了越来越多的关注。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高嵌入式Flash良率的处理方法及系统，以解决由于工艺制造而导致Flash失效率过高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种提高嵌入式Flash良率的处理方法，包括：

中测时对Flash进行擦除后，对Flash每一页进行写操作和读操作，判断该页为正常页还是坏页，出现坏页时直接将该坏页的页地址写入冗余页地址寄存器；

当系统总线对Flash进行访问时，将系统总线访问的地址与冗余页地址寄存器中值进行比较，如果比较结果不一致，说明此时系统总线访问的是正常页，无需访问冗余页；如果比较结果一致，说明此时系统总线访问的是坏页，则将冗余页使能位置位，系统总线直接跳过坏页访问冗余备份页；

冗余页使能位为1时，表示冗余页替换坏页生效，系统总线对Flash坏页的读写操作都将映射到冗余页上。

可选的，对Flash每一页进行写操作和读操作，判断该页为正常页还是坏页包括：

对Flash每一页进行写操作与读操作，如果该页内每一个地址读的数据与写的数据一致，表示该页读写正常，则该页为正常页；

如果该页内有其中一个地址读的数据与写的数据不一致，则表示该地址读写错误，则将该地址所在的页定义为坏页。

可选的，对Flash某一页进行读写测试时，只有当读的数据与写的数据不一致时，才会将该页定义为坏页，此时如果有冗余页剩余，直接将该坏页的页地址写入冗余页地址寄存器；接着对下一页进行读写测试，如再出现坏页且还有冗余页剩余，将该坏页的页地址也写入冗余页地址寄存器中；若所有冗余页对应的冗余页地址寄存器都被写完后，还出现坏页，则认为该Flash测试结果失败，并将该电路归为不良品；

当测试完成后，若所有冗余页对应的冗余页地址寄存器正好被用完或者还有剩余，则认为该Flash测试结果正常。

可选的，根据Flash容量大小设置多个冗余页，其中每个冗余页对应一个冗余页使能位和冗余页地址寄存器，进行多个冗余页替换以提高Flash良率。

本发明还提供了一种一种提高嵌入式Flash良率的处理系统，包括：

冗余页，用于替换Flash中的坏页，一旦出现Flash坏页，系统总线对该坏页的读写全部映射到对冗余页的读写，以保证数据读写的正确性；