[发明专利]采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法、蓝光OLED器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法，其特征在于:

a)以绿色TADF材料4CzIPN为发射体掺杂在BCPO材料中作为OLED器件的发光层且限定所述4CzIPN的掺杂浓度为0.6～2wt％；

b)选择合适材料作为所述OLED器件的其它结构层；

c)将所述OLED器件的各结构层的厚度限定在合适范围；

由上述a)～c)引起OLED器件通电工作时的发射峰蓝移，从而发射出蓝光。

2.如权利要求1所述采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法，其特征在于：a)中，所述发光层中4CzIPN的掺杂浓度约为1.0wt％。

3.一种蓝光OLED器件，包括发射层和位于发射层两侧的其它结构层，其特征在于：所述发光层由绿色TADF材料4CzIPN为发射体掺杂于BCPO材料中制作而成且4CzIPN的掺杂浓度为0.6～2wt％，所述其它结构层所用材料组分与发光层相匹配且各结构层的厚度被限定在合适范围以使得器件通电工作时的发射峰蓝移，并由此发射出蓝光。

4.如权利要求3所述蓝光OLED器件，其特征在于：所述发光层中4CzIPN的掺杂浓度约为1.0wt％。

5.如权利要求3所述蓝光OLED器件，其特征在于：包括依次层叠设置的ITO层、TAPC层、mCP层、发光层、DPEPO层、TPBi层，LiF层，Al层。

6.如权利要求5所述蓝光OLED器件，其特征在于：所述TAPC层的厚度约为40nm，所述mCP层的厚度约为20nm，所述发光层的厚度约为15nm，所述DPEPO层的厚度约为5nm，所述TPBi层的厚度约为60nm，所述LiF层的厚度约为0.5nm。

7.如权利要求5或6所述蓝光OLED器件，其特征在于：所述ITO层的方块电阻值为15-20Ω/□，所述Al层的厚度约为100nm。

8.权利要求5-7所述蓝光OLED器件的制备方法，其特征在于：先将用作基底的ITO用清洗剂进行清洗，干燥后再经紫外臭氧清洗，然后在小于5×10^-4Pa的条件下进行真空蒸镀，各结构层的材料逐层蒸镀堆叠于ITO上，蒸镀完成后，将制备好的器件立即用环氧树脂和玻璃片进行封装。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在真空蒸镀的过程中，LiF和Al的蒸镀速度分别约为和其余材料的蒸镀速度为

10.权利要求1-2所述方法以及权利要求3-7所述蓝光OLED器件在照明或显示装置中的应用。