[发明专利]包括布线接触插塞的半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

衬底，其包括单元区域和外围区域；

多个电容器，其包括位于所述单元区域上的多个下电极、覆盖所述多个下电极的多个电容器介电层和覆盖所述多个电容器介电层和所述多个下电极的上电极；

蚀刻停止层，其覆盖所述上电极；

填充绝缘层，其覆盖所述蚀刻停止层，所述填充绝缘层位于所述单元区域和所述外围区域上；

多条布线，其位于所述填充绝缘层上；以及

第一布线接触插塞，其将所述多条布线中的至少一条电连接到所述上电极，

其中，所述上电极包括第一上电极层和第二上电极层，所述第一上电极层覆盖所述多个电容器介电层并且包括半导体材料，所述第二上电极层覆盖所述第一上电极层并且包括金属材料。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一布线接触插塞通过所述填充绝缘层和所述蚀刻停止层延伸到所述第二上电极层内部，并且所述第一布线接触插塞的下表面位于比所述第一上电极层的上表面高的水平处。

3.根据所权利要求1述的半导体存储器装置，其中，

所述第二上电极层具有包括电极阻挡层和主电极层的堆叠结构，

所述第一布线接触插塞延伸到所述主电极层的内部，并且所述第一布线接触插塞不接触所述电极阻挡层。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第二上电极层具有还包括界面层的堆叠结构，所述界面层包括导电金属氧化物。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，

所述界面层覆盖所述主电极层的上表面，所述界面层覆盖所述主电极层的下表面，或者所述界面层位于所述主电极层中。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，

所述第一上电极层包括从所述多个电容器介电层的最上端到所述第一上电极层的上表面的第一厚度，

所述第二上电极层包括从所述第二上电极层的底表面到所述第二上电极层的顶表面的第二厚度，并且

所述第一上电极层的第一厚度大于所述第二上电极层的第二厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：

多条栅极线，其位于所述衬底上；

多条逻辑位线，其位于所述衬底的外围区域上，所述多条逻辑位线位于所述多条栅极线上；以及

第二布线接触插塞，其将所述多条布线中的至少另一条电连接到所述多条逻辑位线，其中，

所述第二布线接触插塞的高度大于所述第一布线接触插塞的高度。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，还包括：

逻辑封盖层，其覆盖所述多条逻辑位线，所述逻辑封盖层包括与所述蚀刻停止层的材料不同的材料，

其中，所述第二布线接触插塞延伸穿过所述填充绝缘层和所述逻辑封盖层到所述多条逻辑位线内部。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，

其中，在所述外围区域中，所述多个电容器介电层覆盖所述逻辑封盖层，并且

其中，所述第二布线接触插塞穿过所述填充绝缘层、所述多个电容器介电层和所述逻辑封盖层。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，

所述第一上电极层覆盖所述多个电容器介电层，并且填充所述多个下电极之间的空间，并且

所述第二上电极层的最下端位于比所述多个电容器介电层中的每一个的最上端高的水平处。