[发明专利]半导体装置、芯片焊盘及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202111283844.8 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114446911A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 财满健 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/48 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 芯片 制造 方法 | ||
目的在于得到能够在半导体芯片与芯片焊盘之间的焊料内抑制孔洞的半导体装置、芯片焊盘及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有:芯片焊盘,其具有第1面和与该第1面相反侧的面即第2面,在该第1面形成有第1凹部;以及半导体芯片,该芯片焊盘中的形成该第1凹部的内表面具有:第1部分,其用于接收焊料的供给;第2部分,其通过该焊料而与该半导体芯片接合,与该第1部分相比,第2部分的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离小;以及连结部,其将该第1部分与该第2部分相连,连结部的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离比该第1部分大,比该第1面小。
技术领域
本发明涉及半导体装置、芯片焊盘及半导体装置的制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开了具有通过焊料而将半导体芯片接合的芯片焊盘的引线框。在该引线框处,在芯片焊盘的平坦的上表面中的半导体芯片的配置区域形成从上表面凹陷而对焊料进行收容的凹部。焊料被收容于凹部内,因此不会润湿扩展。因此,在将半导体芯片接合于芯片焊盘的状态下,能够充分地确保在芯片焊盘与半导体芯片之间存在的焊料的厚度。
专利文献1:日本特开2012-104709号公报
在专利文献1中,有可能在半导体芯片与芯片焊盘的芯片搭载区域之间的焊料内产生孔洞。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于,得到能够在半导体芯片与芯片焊盘之间的焊料内抑制孔洞的半导体装置、芯片焊盘及半导体装置的制造方法。
第1技术方案涉及的半导体装置具有:芯片焊盘,其具有第1面和与该第1面相反侧的面即第2面,在该第1面形成有第1凹部;以及半导体芯片,该芯片焊盘中的形成该第1凹部的内表面具有:第1部分,其用于接收焊料的供给;第2部分,其通过该焊料而与该半导体芯片接合,与该第1部分相比,该第2部分的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离小;以及连结部,其将该第1部分与该第2部分相连,该连结部的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离比该第1部分大,比该第1面小。
第2技术方案涉及的芯片焊盘具有第1面和与该第1面相反侧的面即第2面,在该第1面形成有凹部,该芯片焊盘中的形成该凹部的内表面具有:第1部分,其用于接收焊料的供给;第2部分,其通过该焊料而与半导体芯片接合,与该第1部分相比,该第2部分的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离小;以及连结部,其将该第1部分与该第2部分相连,该连结部的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离比该第1部分大,比该第1面小。
第3技术方案涉及的半导体装置的制造方法是,芯片焊盘具有第1面和与该第1面相反侧的面即第2面,在该第1面形成有凹部,在将该芯片焊盘加热后的状态下,向该芯片焊盘中的形成该凹部的内表面的第1部分供给焊料,使熔融的该焊料经由连结部而向形成该凹部的内表面中的第2部分流动,其中,与该第1部分相比,该第2部分的与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离小,在流动至该第2部分的该焊料之上搭载半导体芯片,对该芯片焊盘进行冷却,通过该焊料而将该半导体芯片接合至该第2部分,该连结部是形成该凹部的内表面中的将该第1部分与该第2部分相连、与该第2面垂直的方向上的从该第2面算起的距离比该第1部分大且比该第1面小的部分。
发明的效果
根据第1技术方案涉及的半导体装置,能够使供给至芯片焊盘的第1部分的焊料经由连结部而流动至第2部分。由此,能够抑制孔洞流入第2部分。因此,能够在半导体芯片与芯片焊盘之间的焊料内抑制孔洞。
根据第2技术方案涉及的芯片焊盘,能够使在第1部分处接收到供给的焊料经由连结部而流动至第2部分。由此,能够抑制孔洞流入第2部分。因此,能够在半导体芯片与芯片焊盘之间的焊料内抑制孔洞。
在第3技术方案涉及的半导体装置的制造方法中,能够使供给至芯片焊盘的第1部分的焊料经由连结部而流动至第2部分。由此,能够抑制孔洞流入第2部分。因此,能够在半导体芯片与芯片焊盘之间的焊料内抑制孔洞。
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