[发明专利]一种少电子多中心键晶体的设计方法及其获得的晶体在审
| 申请号： | 202111284066.4 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114023398A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 胡超权;周子剑;李晓春;朱嘉琦;郑伟涛 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G16C20/70 | 分类号： | G16C20/70;G16C60/00;C30B29/46;C30B28/12;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 徐冬冬 |
| 地址： | 130000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 中心 晶体 设计 方法 及其 获得 | ||
1.一种少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)计算候选晶体中阳离子和阴离子的离化度；
2)计算候选晶体中阳离子和阴离子的杂化度；
3)计算候选晶体中键的饱和度；
4)以离化度、杂化度、饱和度为坐标轴建立三维坐标系，标记出离化度、杂化度、饱和度满足筛选条件的区域，区域内的材料即为少电子多中心键晶体。
2.根据权利要求1所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：候选晶体的结构式为AxBy，其中A为Sn、Pb、Sb、Bi中的任意一种，B为Se或Te，化学计量比x、y取决于候选晶体的相结构。
3.根据权利要求2所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：候选晶体的相结构为菱方相时，则x＝2，y＝3；候选晶体的相结构为立方相时，则x＝1，y＝1。
4.根据权利要求3所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：步骤1)中，先通过式(I)来计算AxBy中A、B原子的s、p、d轨道半径；
式中，i＝s，p，d；是与所计算轨道角动量l相关的参数，Z是与所计算原子核电荷数相关的参数；
再通过(II)来计算AxBy晶体的离化度Di，
式中，为AxBy中阳离子A的s、p、d轨道半径，为AxBy中阴离子B的s、p、d轨道半径，rA为阳离子共价半径，rB为阴离子共价半径。
5.根据权利要求3所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：步骤2)中，通过式(III)来计算AxBy晶体的杂化度Dc；
6.根据权利要求3所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：步骤3)中，通过式(IV)来计算AxBy晶体的饱和度Ds；
DS＝CON8-NRule/CONactual (IV)
式中，CoN8-NRule为符合8-N规则的晶体结构中阳离子的配位数，CoNactual为实际晶体结构中阳离子的配位数。
7.根据权利要求1所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：步骤4)中，离化度的筛选条件为：2E-03＜Di＜1E-02。
8.根据权利要求1所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：步骤4)中，杂化度的筛选条件为：4E-03＜Dc＜6E-03。
9.根据权利要求1所述的少电子多中心键晶体的设计方法，其特征在于：步骤4)中，饱和度的筛选条件为：0.5≤Ds1。
10.一种由权利要求1-9任一项所述设计方法获得的晶体。
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