[发明专利]一种抑制静电释放的光罩及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202111284303.7 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN113966059A 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 林锦鸿 申请(专利权)人: 泉意光罩光电科技(济南)有限公司
主分类号: H05F3/00 分类号: H05F3/00;H05F3/02;G03F1/40
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 鲁梅
地址: 250101 山东省济南市高新区经十路7*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 抑制 静电 释放 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种抑制静电释放的光罩,其特征在于,包括:

基板;

第一导电层,所述第一导电层位于所述基板第一表面,并被刻蚀成预设形状,其中,所述第一导电层为金属导电层;

第二导电层,所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面,其中,所述第二导电层为导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述第二导电层的电阻率小于1×10-3Ω·cm,所述第二导电层的透光率不低于80%。

3.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述第二导电层的厚度的取值范围为100埃~1000埃,包括端点值。

4.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述第二导电层的材料为SnO2、In2O3、ZnO中的一种。

5.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述基板为玻璃基板,所述基板的透光率不低于80%。

6.一种抑制静电释放的光罩的制作方法,其特征在于,包括:

提供一基板;

在所述基板第一表面形成具有预设形状的第一导电层,其中,所述第一导电层为金属导电层;

形成第二导电层,所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面,其中,所述第二导电层为导电薄膜。

7.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,在所述基板第一表面形成具有预设形状的所述第一导电层包括:

在所述基板第一表面形成导电材料层,刻蚀所述导电材料层,形成具有预设形状的所述第一导电层。

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