[发明专利]显示器件驱动电路及其驱动方法

说明书

本发明公开了一种显示器件驱动电路，包括锁存器、数据刷新开关T5、驱动管T6、发光单元EL和恒流源IDD，所述锁存器包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3和MOS管T4；本发明还公开了一种显示器件驱动电路的驱动方法，本发明采用锁存器维持像素持续发光的OLED驱动电路及按像素灰度数据的位权值来刷新锁存器的数据以实现对发光像素亮度控制。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是一种显示器件驱动电路及其驱动方法。

背景技术

AMOLED(主动式有机发光二极管)和MicroLED(微小发光二极管，也称之为uLED)是业界公认的新一代显示技术，二者均属于电流驱动型的发光显示器件，无论是用于平板显示采用玻璃或塑料基板的TFT驱动技术，还是用于VR/AR(虚拟显示/增强现实)或头盔显示采用硅基的CMOS驱动技术，二者均面临难以制造超高分辨率、超高解析度或超高帧刷新率显示器件的行业共性技术难题，主要是受制于难以在有限的像素区域内容纳所需的像素驱动元件及较长的存储电容充放电时间与高速寻址之间的矛盾。

现有技术中，AMOLED和MicroLED的像素驱动通常采用模拟驱动方式，基本的像素驱动电路采用称之为2T1C的电路结构，其中存储电容用于维持像素单元在一帧图像周期中持续发光，工作在放大状态的驱动管为发光像素提供驱动电流，工作在开关状态的开关管在扫描寻址期间将数据电压写入存储电容。但由于驱动管的阈值电压及电子迁移率存在非均匀性，且阈值电压随着时间的变化将发生漂移，开关管漏电流也会使存储电容两端的电压发生变化，这些因素均将导致图像显示质量的劣化。为改善这些问题，业内研究提出了多种驱动补偿技术，相应的像素驱动电路在2T1C基本型的基础上，衍生出了4T1C、6T1C、8T2C等更复杂的电路。但这样不仅会增加制程工艺难度，而且大大增加了像素电路占用的面积，尤其在采用TFT背板技术的600PPI以上的平板显示器件或采用硅基驱动的3000PPI以上的微显示器件中，很难将如此复杂的驱动电路设计在面积有限的像素单元内，同时仍无法解决较长的存储电容充放电时间与高速寻址之间的矛盾问题，难以用于8K以上的超高分辨率显示器件。

为解决模拟驱动方式存在的驱动管参数变化对图像显示质量的影响及储存电容难以满足高速寻址等问题，业内也有提出数字驱动的技术方案，但现有数字驱动的方案存在像素驱动电路占用面积大且驱动控制逻辑复杂的问题。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种显示器件驱动电路及其驱动方法，本发明在解决因驱动管参数变化导致图像显示质量劣化和存储电容不能满足高速寻址的问题的同时，像素驱动电路只需较少的MOS管、电源线、控制线和数据线，从而可以大大减小像素驱动电路所占的面积。因此，本发明所述技术方案能同时解决驱动管参数变化导致图像显示质量劣化和实现超高分辨率、超高解析度或超高帧刷新率的AMOLED或MicroLED显示器件的行业共性技术难题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种显示器件驱动电路，包括锁存器、数据刷新开关T5、驱动管T6、发光单元EL和恒流源IDD，所述锁存器包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3和MOS管T4；所述MOS管T1的漏极和MOS管T3的漏极相连作为锁存器输入端A，MOS管T2的漏极和MOS管T4的漏极相连作为锁存器输出端B；MOS管T1的栅极和MOS管T3的栅极相连后再与输出端B相连，MOS管T2的栅极和MOS管T4的栅极相连后再与输入端A相连；MOS管T3和MOS管T4的源极共同连接电源负端VSS，MOS管T1和MOS管T2的源极共同连接电源正端VDD；所述数据刷新开关T5的源极连接数据线D_Bit，数据刷新开关T5的栅极与扫描线Scan相连，数据刷新开关T5的漏极与锁存器输入端A相连；驱动管T6的栅极与锁存器输出端B相连，驱动管T6的漏极与发光单元EL的正端相连，驱动管T6的源极与所述恒流源IDD相连，发光单元EL的负端与电源负端VSS相连。

作为本发明的进一步改进，所述显示器件为主动式有机发光二极管AMOLED或微小发光二极管MicroLED。