[发明专利]多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件

权利要求书

1.一种多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，多线TRL校准件包括一个直通、与所述直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，所述反射包括两个开路或者两个短路，所述多线TRL校准件的制备方法包括：

获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参数和所述金属参数，得到传输线横截面尺寸，所述衬底参数包括衬底厚度和衬底介电常数，所述金属参数包括金属的电导率和金属厚度；

根据所述传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线；

根据所述传输线横截面尺寸，确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；

根据所述多个不同长度的传输线、所述开路的横截面尺寸或者所述短路的横截面尺寸进行半导体工艺加工，得到校准件；

对所述校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。

2.根据权利要求1所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，所述两个开路的金属片尺寸保持一致，或者所述两个短路的金属片尺寸保持一致；

所述根据所述传输线横截面尺寸，确定开路或者短路，包括：

将所述传输线的宽度，确定为所述开路或者所述短路的宽度，将所述传输线的长度确定为所述开路或者所述短路的长度；

根据所述开路或者所述短路的宽度，确定构成所述开路或者所述短路的两片金属之间的距离。

3.根据权利要求1所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，对所述校准件中的直通的参数标定方式与传输线的参数标定方式相同；

对所述校准件中的传输线进行参数标定，包括：

获取所述传输线的长度；

根据确定所述传输线的相速；

其中，v_p表示所述传输线的相速，l表示所述传输线的长度，ε_eff表示有效介电常数，c表示光在真空中的传播速度。

4.根据权利要求1所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，对所述校准件中的反射进行参数标定，包括：

将所述校准件中的所述两个开路或者两个短路的结构设置为对称结构；

延时设置为0ps。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，在所述获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参数和所述金属参数，得到传输线横截面尺寸之后，还包括：

当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；

基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线。

6.根据权利要求5所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，所述对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸，包括：

将所述横截面尺寸在第一预设步进范围内变化，得到多组横截面尺寸；

对所述多组横截面尺寸、预设长度的传输线进行仿真，将所有传输线中S₁₁最小值对应的横截面尺寸确定为最优横截面尺寸。

7.根据权利要求6所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，所述基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，包括：

将所述最优横截面尺寸在第二预设步进范围内变化，得到多组最优横截面尺寸，并基于所述多组最优横截面尺寸和每组最优横截面尺寸对应的至少一个个长度进行不同的传输线版图加工；

采用预设电阻对传输线特征阻抗进行标定；

基于传输线版图和预设电阻，测量每根传输线的特征阻抗，确定与所述预设电阻的阻抗值最接近的特征阻抗对应的传输线为目标传输线。

8.根据权利要求5所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，判断所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求的方法，包括：

根据所述横截面尺寸计算校准件频率；

当所述校准件频率大于或等于所述预设校准件频率时，确定所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求。