[发明专利]用于产生组合物的方法、相关组合物和相关装置

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，包括：

选择钛酸锶钡(BST)材料，其中选择的所述BST材料具有拥有至少第一晶格常数和第二晶格常数的钙钛矿晶格结构；

选择铌酸锶钡(SBN)材料，其中选择的所述SBN材料具有拥有至少第三晶格常数和第四晶格常数的晶格结构，其中所述第三晶格常数基本上等于所述第一晶格常数，并且其中所述第四晶格常数基本上等于所述第二晶格常数；以及

在所述BST材料的晶界区域上生长所述SBN材料，其中所述生长通过自组装进行，并且其中所述生长因所述SBN材料的所述第三晶格常数基本上等于所述第一晶格常数以及所述SBN材料的所述第四晶格常数基本上等于所述第二晶格常数而得以促进。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择的所述BST材料呈Ba_1-xSr_xTiO的形式，并且其中x在0.55到0.8的范围内且包括端值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择的所述SBN材料呈Sr_xBa_1-xNb₂O₆的形式，并且其中x在0.5到0.7的范围内且包括端值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SBN材料在所述BST材料上生长会产生组合的组合物，并且其中相比于原本不在所述晶界区域上生长而能为所述组合的组合物提供的调谐比率，所述SBN材料在所述晶界区域上的存在会提供更高调谐比率。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长包括结晶。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述SBN材料在所述BST材料上生长会产生可调谐介电组合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

选择的所述BST材料包括总组合物的80％到99.9％且包括端值，所述总组合物包括选择的所述BST材料和选择的所述SBN材料；并且

选择的所述SBN材料包括所述总组合物的0.1％到20％且包括端值，所述总组合物包括选择的所述BST材料和选择的所述SBN材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第一晶格常数等于所述第二晶格常数；并且

所述第三晶格常数基本上等于所述第一晶格常数、所述第二晶格常数和所述第四晶格常数。

9.一种可调谐介电材料，其特征在于，包括：

由钛酸锶钡(BST)形成的第一层，其中所述第一层包括晶界区域，并且其中所述第一层的所述晶界区域中的所述BST具有拥有第一、第二和第三晶格常数的第一晶格结构；以及

由在所述第一层上结晶的铌酸锶钡(SBN)形成的第二层，其中所述第二层具有拥有第四、第五和第六晶格常数的第二晶格结构，其中所述第四、第五和第六晶格常数中的两个晶格常数基本匹配所述第一、第二和第三晶格常数中的两个相应晶格常数，并且其中所述第四、第五和第六晶格常数中的所述两个晶格常数基本匹配所述第一、第二和第三晶格常数中的所述两个相应晶格常数会促进所述第二层通过自组装在所述第一层上结晶。

10.一种可调谐介电材料，其特征在于，包括：

钛酸锶钡(BST)材料，所述BST材料包括晶界区域，所述BST材料在所述晶界区域中具有拥有至少第一晶格常数和第二晶格常数的第一晶格结构；以及

铌酸锶钡(SBN)材料，所述SBN材料具有拥有至少第三晶格常数和第四晶格常数的第二晶格结构，所述第三晶格常数基本上等于所述第一晶格常数，所述第四晶格常数基本上等于所述第二晶格常数，并且所述SBN材料呈通过自组装安置在所述晶界区域处的晶体形式。