[发明专利]一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统及其适配装置

权利要求书

1.一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，包括第一振膜、第二振膜、第三振膜、第四振膜、有孔的第一电极板、有孔的第二电极板、有孔的第三电极板、有孔的第四电极板、有孔的第五电极板、第一振膜支架、第二振膜支架、第三振膜支架、第四振膜支架，且第一振膜、第二振膜、第三振膜、第四振膜的两侧表面均形成有导电镀层，同时有孔的第一电极板、第一振膜支架、第一振膜、第一振膜支架、有孔的第二电极板、第二振膜支架、第二振膜、第二振膜支架、有孔的第三电极板、第三振膜支架、第三振膜、第三振膜支架、有孔的第四电极板、第四振膜支架、第四振膜、第四振膜支架及有孔的第五电极板依该顺序组装，其特征在于：第一电极板、第一振膜支架、第一振膜、第一振膜支架、第二电极板、第二振膜支架、第二振膜、第二振膜支架、第三电极板、第三振膜支架、第三振膜、第三振膜支架、第四电极板、第四振膜支架、第四振膜、第四振膜支架及第五电极板，共同形成多层级静电扬声结构。所述第一振膜、第二振膜、第三振膜、第四振膜共同组成多层级同相振动体。

2.根据权利要求1所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一振膜、第二振膜、第三振膜、第四振膜、有孔的第一电极板、有孔的第二电极板、有孔的第三电极板、有孔的第四电极板、有孔的第五电极板、第一振膜支架、第二振膜支架、第三振膜支架、第四振膜支架均为正六边形，且边长相等，形心重合。

3.根据权利要求2所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一电极板、第二电极板、第三电极板、第四电极板、第五电极板的开孔形状均为正六边形，各电极板开孔区域相同，呈正对应排布，且正六边形开孔区域占电极板区域的开孔率为65％-85％。

4.根据权利要求1所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一电极板、第五电极板、第一振膜支架、第二振膜支架、第三振膜支架、第四振膜支架均在朝向振膜的一侧设置有导电层，所述有孔的第二电极板、第三电极板、第四电极板的两侧及正六边形开孔孔壁均设置有导电层，且两侧导电层通过正六边形开孔孔壁实现电连接，两侧导电层之间几乎不存在电阻。

5.根据权利要求1所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一电极板、第一振膜支架、第二电极板、第二振膜支架、第三电极板、第三振膜支架、第四电极板、第四振膜支架、第五电极板的外沿处均形成有第一电极通孔、第二电极通孔、第三电极通孔、第四电极通孔、第五电极通孔、偏压通孔。

6.根据权利要求1所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一电极通孔仅在第一电极板上形成的通孔侧壁上设置有导电层，所述第二电极通孔仅在第二电极板上形成的通孔侧壁上设置有导电层，所述第三电极通孔仅在第三电极板上形成的通孔侧壁上设置有导电层，所述第四电极通孔仅在第四电极板上形成的通孔侧壁上设置有导电层，所述第五电极通孔仅在第五电极板上形成的通孔侧壁上设置有导电层，所述偏压通孔在第一振膜支架、第二振膜支架、第三振膜支架、第四振膜支架上形成的通孔侧壁上设置有导电层。

7.根据权利要求1所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一振膜、第二振膜、第三振膜、第四振膜的表面张力大小相同。

8.根据权利要求1所述的一种可阵列拼接的多层高功率静电换能系统，其特征在于，所述第一电极板、第二电极板、第三电极板、第四电极板、第五电极板、第一振膜支架、第二振膜支架、第三振膜支架、第四振膜支架均为PCB板。