[发明专利]铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111287384.6 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113990985A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 罗西佳;王伟;吴仕梁;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 韩天宇 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铸锭 单晶加 mwt 电池 结构 制备 方法 | ||
1.一种铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
S01：对铸锭单晶硅基底进行激光打孔；
S02：单晶硅基底清洗抛光：对单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅表面的机械损伤层和污染物，形成金字塔绒面；
S03：对基础金字塔绒面进行黑硅刻蚀，形成正面黑硅小绒面；
S04：正面黑硅小绒面进行扩散形成扩散层；
S05：去PSG进行边缘隔离，背面碱抛光；
S06：单晶硅基底正面进行减反膜加SiON叠层膜的沉积：
S07：丝网印刷正面导电银浆，背面印刷堵孔浆料，背面印刷背场图形后烧结；
S08：进行光注入或电注入工艺，最后完成电池制备。
2.根据权利要求1所述的铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤S04和步骤S05之间，对扩散层表面进行激光SE并进行表面热氧化，所述的步骤S05和S06之间，对单晶硅基底背面进行背钝化膜沉积，再进行退火，所述的步骤S06和S07之间，对单晶硅基底背面激光开窗。
3.根据权利要求1或2所述的铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于：步骤S01所述的铸锭单晶硅基底为P型或N型硅片。
4.根据权利要求1或2所述的铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于：步骤S03所述的黑硅刻蚀为干法或湿法黑硅刻蚀。
5.根据权利要求1或2所述的铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于：步骤S06所述的减反膜加SiON叠层膜由两层以上的膜层构成。
6.根据权利要求2所述的铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于：所述的扩散层表面进行表面热氧化为单面氧化或双面氧化。
7.根据权利要求2所述的铸锭单晶加MWT电池结构的制备方法，其特征在于：所述的背钝化膜由两层以上的膜层构成。
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