[发明专利]一种适用于低电流增益型NPN三极管的带隙基准电压源

权利要求书

1.一种适用于低电流增益型NPN三极管的带隙基准电压源，包括Wildar型带隙基准电压源，其特征在于，还包括局部自偏置电路，所述局部自偏置电路用于抵消Wildar型带隙基准电压源中的基极电流不平衡，同时利用局部自偏置电路提取出的基极电流反馈到电路中提高输出基准的精度，即最终获得与Beta绝对值无关的高精度基准电压，使Wildar型基准电压源对三极管电流增益系数Beta不敏感；

所述Wildar型带隙基准电压源包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和电流源；电流源的输入接电源VDD，电流源的输出通过第二电阻R2后接第一三极管Q1的集电极、以及第二三极管Q2的基极，第一三极管Q1的发射极接地；第二三极管Q2的集电极通过第三电阻R3后接电流源的输出，第二三极管Q2的发射极通过第一电阻R1后接地；第三三极管Q3的集电极接电流源的输出，第三三极管Q3的发射极接地；

所述局部自偏置电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9；第一MOS管M1的栅极接第一三极管Q1的集电极，第一MOS管M1的源极接第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极，第一MOS管M1的漏极接第四MOS管M4的漏极；第二MOS管M2的栅极接第二三极管Q2的集电极，第二MOS管M2的源极接第三三极管Q3的基极，第二MOS管M2的漏极接第四MOS管M4的漏极；第三MOS管M3的漏极接电源VDD，其栅极接电流源的输出端，其源极接第九MOS管M9的漏极；第四MOS管M4的源极接电源VDD，其栅极和漏极互连；第五MOS管M5的源极接电源VDD，其栅极接第四MOS管M4的漏极；第六MOS管M6的漏极和栅极互连，其漏极接第五MOS管M5的漏极，第六MOS管M6的源极接地；第七MOS管M7的漏极接第一三极管Q1的集电极，第七MOS管M7的栅极接第五MOS管M5的漏极，第七MOS管M7的源极接地；第八MOS管M8的漏极接第二三极管Q2的集电极，第八MOS管M8的栅极接第五MOS管M5的漏极，第八MOS管M8的源极接地；第九MOS管M9的栅极接第五MOS管M5的漏极，第九MOS管M9的源极接地；第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3为本征NMOS管，长宽比为2:1:1；第三MOS管M3源极与第九MOS管M9漏极的连接点为基准电压源输出端。