[发明专利]半导体器件的量测方法

权利要求书

1.一种半导体器件的量测方法，其特征在于，包括：

获取作为待测物件的半导体器件的图像，所述半导体器件包括衬底和位于所述衬底上的半导体结构；

在所述图像上选取检测区，并对所述检测区利用能谱仪进行能谱分析，获取所述检测区的元素谱图；

将所述元素谱图中的第一元素的第一目标峰和第二元素的第二目标峰进行分峰拟合，获取拟合元素分布谱图；

根据所述拟合元素分布谱图获得所述第一元素的原子比例和/或所述第二元素的原子比例，以供判断所述第一元素的气孔大小。

2.如权利要求1所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述半导体结构包括沿垂直于所述衬底的主表面的第一纵向交替堆叠的栅极层和绝缘层，其中，所述栅极层的材料包括所述第一元素，所述绝缘层的材料包括所述第二元素。

3.如权利要求2所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述检测区包括至少一层所述栅极层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述半导体结构包括栅极结构和位于所述栅极结构两侧的堆叠结构，其中，所述栅极结构的材料包括所述第一元素，所述堆叠结构的材料包括所述第二元素。

5.如权利要求1所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述半导体结构包括绝缘层和位于所述绝缘层中的导电柱，其中，所述导电柱的材料包括所述第一元素，所述绝缘层的材料包括所述第二元素。

6.如权利要求5所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述检测区包括至少一个所述导电柱。

7.如权利要求1所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述第一元素为目标元素，所述第二元素为参考元素。

8.如权利要求1、2、4或5所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述第一元素为钨，所述第二元素为硅。

9.如权利要求8所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述第一目标峰包括M峰，所述第二目标峰包括L峰，第一目标元素对应的第一目标峰的能量和第二目标元素对应的第二目标峰的能量的范围包括1.7-1.9KeV。

10.如权利要求1所述的半导体器件的量测方法，其特征在于，所述图像包括扫描透射电子显微图像。