[发明专利]用于溶解抛光粒子的组合物及使用其的清洁方法在审
申请号: | 202111289645.8 | 申请日: | 2021-11-02 |
公开(公告)号: | CN114437883A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 郑敬振;郑佳英;尹永镐;朴健熙;金暎坤;郑用昊 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | C11D7/10 | 分类号: | C11D7/10;C11D7/28;C11D7/32;C11D7/34;C11D7/50;C11D7/60;H01L21/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 杜兆东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 溶解 抛光 粒子 组合 使用 清洁 方法 | ||
1.一种用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
包括:
含硫有机酸;
含氟离子化合物;以及
溶剂,
其中,在60℃温度下测量15分钟的浊度变化降低率为-80%至-99%。
2.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述含硫有机酸占所述用于溶解抛光粒子的组合物的1重量%至10重量%。
3.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述含硫有机酸包括从由次硫酸、亚硫酸、有机磺酸、硫代磺酸及硫代羧酸组成的群组中选择的至少一种以上。
4.根据权利要求3所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述有机磺酸包括从由烷烃磺酸、烷醇磺酸、磺基琥珀酸及芳香族磺酸组成的群组中选择的至少一种以上。
5.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述含氟离子化合物占所述用于溶解抛光粒子的组合物的2重量%至10重量%。
6.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述含氟离子化合物为离子氟化物化合物。
7.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述含氟离子化合物包括从由氟化铵、氟化氢铵、硼氟酸铵、氟硅酸铵、氨基三氟甲苯、四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丁基二氟三苯硅酸铵、四丁基氟化铵及苄基三甲基氟化铵组成的群组中选择的至少一种以上。
8.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
还包括:
从由硫代硫酸、硫酸、硫化物、二硫化物、硫化氢、三氧化硫、氨基磺酸、硫醇及磺酸盐组成的群组中选择的至少一种以上的含硫化合物,
所述含硫化合物占所述用于溶解抛光粒子的组合物的5重量%至15重量%。
9.根据权利要求8所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述含硫化合物与含硫有机酸的质量比为2:1至5:1。
10.根据权利要求8所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述磺酸盐包含从由烷基磺酸盐、芳基磺酸盐、烷基芳基磺酸盐、烷基醚磺酸盐、聚苯乙烯磺酸盐、烷烃磺酸盐、α-烯烃磺酸盐、十二烷基苯磺酸盐及烷基苯磺酸盐组成的群组中选择的至少一种以上。
11.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述用于溶解抛光粒子的组合物用于抛光半导体器件晶片后的清洁,其中,所述半导体器件包括从由氮化硅膜、氧化硅膜、多晶硅膜及硅膜组成的群组中选择的至少一种膜。
12.根据权利要求1所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述用于溶解抛光粒子的组合物在使用含有抛光粒子的用于化学机械抛光的浆料来进行抛光后,溶解残留的抛光粒子。
13.根据权利要求12所述的用于溶解抛光粒子的组合物,其特征在于,
所述抛光粒子包括二氧化铈。
14.一种清洁方法,其特征在于,
包括以下步骤:
在半导体器件晶片的化学机械抛光之后,使用权利要求1至13中任一项的用于溶解抛光粒子的组合物来清洁半导体器件晶片。
15.根据权利要求14所述的清洁方法,其特征在于,
所述半导体器件晶片包括从由氮化硅膜、氧化硅膜、多晶硅膜及硅膜组成的群组中选择的至少一种膜。
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