[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其具有彼此相对的第一及第二主面；

第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第一主面和所述第二主面之间；

第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层和所述第一主面之间；

第一导电型的多个第三半导体层，它们选择性地设置于所述第二半导体层的表面；

第二导电型的第四半导体层，其设置于所述第一半导体层和所述第二主面之间；

第一导电型的多个第五半导体层，它们选择性地设置于所述第四半导体层的表面；

第一主电极，其设置于所述第一主面之上，与所述第二及第三半导体层连接；

第二主电极，其设置于所述第二主面之上，与所述第四及第五半导体层连接；

多个第一控制电极，它们与电信号对应地分别对所述第一半导体层和所述多个第三半导体层之间的导通和非导通进行切换；以及

第二控制电极，其与电信号对应地分别对所述第一半导体层和所述多个第五半导体层之间的导通和非导通进行切换，

所述多个第一控制电极在俯视观察时为在第一方向上延伸的条带状，

所述多个第二控制电极在俯视观察时为在第二方向上延伸的条带状，

将与所述多个第一控制电极相对的所述半导体基板的表面处的所述第二半导体层和所述多个第三半导体层之间的边界线的所述第一方向上的长度的总和设为第一栅极总宽度，

将与所述多个第二控制电极相对的所述半导体基板的表面处的所述第四半导体层和所述多个第五半导体层之间的边界线的所述第二方向上的长度的总和设为第二栅极总宽度，

将所述第二栅极总宽度除以所述第一栅极总宽度而得到的栅极宽度比大于或等于1.0。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二控制电极为平面栅极构造。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二控制电极为沟槽栅极构造。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个第一控制电极为沟槽栅极构造，

所述半导体基板的所述第一主面侧的区域被所述多个第一控制电极的沟槽分割为多个台面部，

所述多个台面部具有：单元部，其包含与所述第一主电极连接的所述第三半导体层；以及哑单元部，其不包含与所述第一主电极连接的所述第三半导体层或不包含所述第三半导体层，

相邻的所述单元部的间隔为从所述第二半导体层至所述第四半导体层为止的最短距离的四十分之一至二十分之一。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一控制电极为沟槽栅极构造，

所述第二方向与所述第一方向不同。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二方向与所述第一方向正交。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板由宽带隙半导体形成。