[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111291489.9 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114447017A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 李银比;金寿桢 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一基底;
第一电极和第二电极,位于所述第一基底上且彼此分隔开;
第一绝缘层,位于所述第一电极和所述第二电极上;
发光元件,位于所述第一绝缘层上且具有分别在所述第一电极和所述第二电极上的端部;以及
第二绝缘层,位于所述第一绝缘层和所述发光元件上,并且限定暴露所述发光元件的所述端部的开口,
其中,所述第二绝缘层被构造为透射在由所述发光元件发射的光的波长范围内的光,并且被构造为阻挡在所述波长范围外的光的透射。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,从所述发光元件发射的光具有从400nm至500nm的中心波长范围。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层的所述开口包括暴露所述发光元件的第一端部且与所述第一电极部分地叠置的第一开口以及暴露所述发光元件的第二端部且与所述第二电极部分地叠置的第二开口,并且
其中,所述第二绝缘层包括在所述第一开口与所述第二开口之间且在所述发光元件上的图案部。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层的厚度在0.1μm至1μm的范围内。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述图案部的宽度比所述发光元件的长度小。
6.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一接触电极,位于所述第一电极和所述第二绝缘层上,并且与所述发光元件的所述第一端部接触;以及
第二接触电极,位于所述第二电极和所述第二绝缘层上,并且与所述发光元件的所述第二端部接触,
其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述第二绝缘层的所述图案部上彼此分隔开。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层暴露所述第一电极和所述第二电极中的每个的上表面的部分,并且
其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极分别与所述第一电极和所述第二电极直接接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层包括直接在所述第一电极和所述第二电极上的部分。
9.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括分别在所述第一电极与所述第一基底之间以及在所述第二电极与所述第一基底之间的第一堤,
其中,所述第一开口和所述第二开口分别与所述第一堤中的不同的第一堤部分地叠置。
10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:第二堤,位于所述第一绝缘层上,围绕其中设置有所述发光元件的发射区域,并且使所述第二绝缘层的部分位于所述第二堤上。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第二堤围绕与所述发射区域分隔开且其中未设置所述发光元件的子区域,
其中,所述第一电极和所述第二电极设置为横跨所述发射区域和所述子区域。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层包括:第一接触件,暴露所述第一电极的上表面的在所述子区域中的部分;以及第二接触件,暴露所述第二电极的上表面的在所述子区域中的部分,并且
其中,所述第二绝缘层还包括与所述第一接触件叠置的第三开口以及与所述第二接触件叠置的第四开口。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层还包括形成在所述子区域中的第五开口,并且
其中,所述第一电极和所述第二电极不设置在所述第五开口中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的