[发明专利]可重新配置的光学感应装置及其方法在审
申请号: | 202111291572.6 | 申请日: | 2021-11-02 |
公开(公告)号: | CN114447001A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 叶智伟;那允中;吴宗庭;陈书履 | 申请(专利权)人: | 光程研创股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 重新 配置 光学 感应 装置 及其 方法 | ||
1.一种光学感应装置,其特征在于,所述光学感应装置包含:
一光检测器阵列,包含多个光检测器;
一第一电路系统或一或多个处理组件,配置为:
接收一或多个电信号,所述一或多个电信号代表由所述多个光检测器中一第一光检测器子集所接收的一光学信号;
基于所述一或多个电信号,判定在所述光检测器阵列中用于光学测量的一侦测区域;及
基于所述侦测区域,停用所述光检测器阵列的所述多个光检测器中的一第二光检测器子集。
2.如权利要求1所述的光学感应装置,其特征在于,判定所述光检测器阵列中的所述侦测区域进一步包含基于所述一或多个电信号,判定所述第一光检测器子集的一侦测区域中心光检测器,所述侦测区域中心光检测器代表所述侦测区域的中心。
3.如权利要求2所述的光学感应装置,其特征在于,判定所述侦测区域中心光检测器进一步包含基于所述第一光检测器子集响应接收所述光学信号而产生的电信号的强度分布,判定所述侦测区域中心光检测器。
4.如权利要求1所述的光学感应装置,其特征在于,判定所述光检测器阵列中的所述侦测区域进一步包含基于所述一或多个电信号,判定所述光检测器阵列中所述侦测区域的尺寸。
5.如权利要求4所述的光学感应装置,其特征在于,判定所述光检测器阵列中所述侦测区域的尺寸进一步包含基于所述第一光检测器子集响应接收所述光学信号而产生的电信号的强度分布,判定所述侦测区域的尺寸。
6.如权利要求1所述的光学感应装置,其特征在于,判定所述光检测器阵列中的所述侦测区域进一步包含响应由所述光检测器阵列所接收的另一光学信号而动态变更所述侦测区域。
7.如权利要求1所述的光学感应装置,其特征在于,所述多个光检测器包含一第三光检测器子集,所述第三光检测器子集代表一接收干扰光学信号的区域。
8.如权利要求7所述的光学感应装置,其特征在于,所述第一光检测器子集与所述第三光检测器子集包含一或多个共用光检测器,所述一或多个共用光检测器代表所述侦测区域的一部分与所述接收干扰光学信号的区域的一部分间的重叠。
9.如权利要求7所述的光学感应装置,其特征在于,所述第一电路系统或所述一或多个处理组件配置为:
接收一或多个干扰电信号,所述一或多个干扰电信号代表由所述第三光检测器子集所接收的所述干扰光学信号;
基于(i)代表由所述第一光检测器子集所接收的所述光学信号的所述一或多个电信号及(ii)所述一或多个干扰电信号,判定一或多个校正后电信号;并
提供所述一或多个校正后电信号以用于输出。
10.如权利要求1所述的光学感应装置,其特征在于,所述光学感应装置进一步包含:
一基板,其中所述光检测器阵列受所述基板支撑;
一或多个透镜,设于所述光检测器阵列上方,其中所述一或多个透镜由硅构成;及
一封装层,设于所述一或多个透镜上方且由一第二材料构成,所述第二材料具有一介于1.3至1.8的第二折射率,
其中,所述光检测器阵列的各光检测器包含一含锗的吸光材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光程研创股份有限公司,未经光程研创股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111291572.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:记录介质以及事件数据创建方法
- 下一篇:用于联合收割机的谷粒级谷物监控系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的