[发明专利]一种半导体晶圆的双面抛光工艺

权利要求书

1.一种半导体晶圆的双面抛光工艺，其特征在于，所述抛光工艺属于化学机械抛光法，由以下步骤组成：

S1：将半导体晶圆装载于载体盘的切口中，并置于覆盖有上抛光垫的上抛光盘与覆盖有下抛光垫的下抛光盘之间；

S2：在所述半导体晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应第一抛光液，对所述晶圆正面及背面进行抛光；抛光转速100-200rpm，抛光压力范围是0.01～0.03daN/cm²，抛光时长为10～20min；

S3：在所述半导体晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应第二抛光液，对所述晶圆正面及背面进行抛光；抛光转速200-400rpm，抛光压力范围是0.2～0.4daN/cm²，抛光时长为3～6min；

S4：在所述半导体晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应超纯水，去除所述晶圆、上抛光垫及下抛光垫上的第二抛光液；

所述步骤S2中的第一抛光液由以下重量份的成分组成：

超纯水 100份

氧化剂 15-25份

表面活性剂 5-15份

磨料 5-15份

无机酸 5-10份

聚丙酰胺 5-10份

硫酸镁 4-8份

熊果素 4-8份

所述步骤S3中的第二抛光液由以下重量份的成分组成：

超纯水 100份

氧化剂 15-25份

表面活性剂 15-25份

聚乳酸 10-20份

无机碱 5-10份

聚丙酰胺 5-10份

硫酸镁 4-8份

熊果素 4-8份；

所述氧化剂为H₂O₂：重铬酸钾：过硫酸铵的摩尔比为1:2:2；

所述表面活性剂选为三羧酸酯：月桂酰谷氨酸：壬基酚聚氧乙烯醚的摩尔比为1:2:1；

所述磨料为人造金刚石微粒和氧化铬微粒的混合物，所述人造金刚石微粒平均直径50-100微米，所述氧化铬微粒的平均直径为150-250微米；所述人造金刚石微粒和氧化铬微粒的质量比为2：1；

所述无机酸为盐酸，所述无机碱为氢氧化钠；

所述聚乳酸的平均分子量为150000。