[发明专利]一种低温烧结改性NiO-Ta2

权利要求书

1.一种低温烧结改性NiO-Ta₂O₅基微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述低温烧结改性NiO-Ta₂O₅基微波介质陶瓷材料化学通式为：

(1.587y-0.198xy)ZnO-(2.597y-0.324xy)CuO-(1-x)NiO-(1.855y-0.231xy)B₂O₃-3xSnO₂-(1-x)Ta₂O₅-(0.284y-0.035xy)V₂O₅；其中0.1≤x≤0.2；0.03≤y≤0.09；经由固相法制备获得；晶体类型为NiTa₂O₆结构；

该微波介质陶瓷材料的烧结温度为875～950℃，850～900℃大气气氛中预烧；介电常数为17～21，品质因数Q×f值为14000～23000GHz，谐振频率温度系数为5～10ppm/℃。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结改性NiO-Ta₂O₅基微波介质陶瓷材料，其特征在于：当x＝0.15且y＝0.06时，在925℃烧结温度下材料的介电常数为20.2，品质因数Q×f值为22417GHz，谐振频率温度系数为8.7ppm/℃。

3.一种低温烧结改性NiO-Ta₂O₅基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：将ZnO、CuO、NiO、B₂O₃、SnO₂、Ta₂O₅与V₂O₅粉料按化学通式(1.587y-0.198xy)ZnO-(2.597y-0.324xy)CuO-(1-x)NiO-(1.855y-0.231xy)B₂O₃-3xSnO₂-(1-x)Ta₂O₅-(0.284y-0.035xy)V₂O₅进行配料；其中0.1≤x≤0.2；0.03≤y≤0.09；

步骤2：将步骤1配好的粉体装入球磨罐，以氧化锆球和去离子水，按照粉料：氧化锆球：去离子水质的量比为1:5～7:3～5进行球磨，行星球磨6～8小时，取出后在80～120℃烘箱中烘干，以40～60目筛网过筛，后在850～900℃大气气氛中预烧3～5小时；

步骤3：将步骤2预烧后的粉体，再次按照粉体：锆球：去离子水质量比为1:4～6:1～3进行球磨，行星球磨混合3～6小时，取出烘干后，向得到的粉体中添加聚乙烯醇溶液进行剂造粒；

步骤4：将步骤3制得陶瓷生料压制成型，在600～650℃排胶后在875～950℃大气气氛中烧结4～6小时后，即可制得低温烧结的改性NiO-Ta₂O₅基微波介质陶瓷材料。