[发明专利]一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器

权利要求书

1.一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器，其特征在于，包括用于1342纳米波长大功率DFB激光器制作的外延材料，所述外延材料包括基于衬底的叠层A和叠层B，N电极覆于衬底底面，P电极通过绝缘层设于叠层B的顶面；

所述叠层B呈两侧有对称凸起的脊条状覆于叠层A的顶面，凸起呈正方形，通过引入等效四分之一波长相移，提高单模产生率；

所述叠层B包括依次叠覆的光栅层、上盖层和接触层；

所述叠层A包括依次叠覆的下盖层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述脊条宽度为2-10um，长度为300-2000um。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述凸起的尺寸为2-3 um，呈正方形。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述下盖层和下波导层间还有稀释波导层。

5.根据权利要求4所述的激光器，其特征在于，所述稀释波导层的材料为1.15QInGaAsP/InP多层结构，层数为2-10层；掺杂浓度3*10¹⁷/cm³至1*10¹⁸/cm³，N型导电；其中，1.1Q InGaAsP层厚为10nm，InP层厚为200-400nm。

6.根据权利要求5所述的激光器，其特征在于，所述多量子阱有源区为AlGaInAs体系多量子阱，发射谱中心波长位于1342纳米，量子阱数量为3-9个阱。

7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述光栅层的材料为InAlAs/InP/1.15QInGaAsP/InP/1.2Q InGaAsP/InP复杂多层结构；光栅层厚度为20-150nm，掺杂浓度3*10¹⁷/cm³至1*10¹⁸/cm³，P型导电。

8.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述上盖层的材料为InP；掺杂浓度5*10¹⁷/cm³至5*10¹⁸/cm³，P型导电，厚度为500nm-2000nm。

9.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述接触层的材料为InGaAs；掺杂浓度1*10¹⁹/cm³至5*10¹⁹/cm³，P型导电，厚度为10-200nm。

10.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述下盖层的材料为N型InP；掺杂浓度5*10¹⁷/cm³至5*10¹⁸/cm³，N型导电。

11.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述下波导层的材料为AlGaInAs/AlInAs/AlGaInAs多层结构，多层厚度为50-300nm，组份渐变，掺杂浓度范围为3*10¹⁷/cm³至5*10¹⁷/cm³；N型导电。

12.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述上波导层的材料分别为AlGaInAs/AlInAs/AlGaInAs多层结构，多层厚度为50-300nm，组份渐变，掺杂浓度范围为3*10¹⁷/cm³至5*10¹⁷/cm³；P型导电。