[发明专利]半导体衬底在审
| 申请号： | 202111293689.8 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114171489A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/485;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 | ||
1.一种半导体衬底，其特征在于，包括：
第一线路层；
电子元件，内埋于所述第一线路层内，所述电子元件的上表面相较于所述第一线路层的上表面倾斜。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述电子元件的所述上表面处具有所述电子元件的第一端子。
3.根据权利要求2所述的半导体衬底，其特征在于，还包括：
第二线路层，位于所述第一线路层的上方，
所述电子元件具有位于下表面处的第二端子，所述电子元件的所述第一端子和所述第二端子分别电连接所述第二线路层和所述第一线路层。
4.根据权利要求3所述的半导体衬底，其特征在于，所述第二线路层具有电连接至所述第一端子的第一导电通孔。
5.根据权利要去4所述的半导体衬底，其特征在于，所述第一导电通孔和所述第一端子接合的界面相较于所述第一线路层的上表面倾斜。
6.根据权利要求4所述的半导体衬底，其特征在于，还包括：
填充层，位于所述第一线路层和所述第二线路层之间，所述第一导电通孔穿过所述填充层电连接至所述第一端子，所述填充层包覆所述电子元件。
7.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述第一线路层中具有容置所述电子元件的开孔，所述开孔的侧壁与所述第一线路层的下表面不垂直。
8.根据权利要求7所述的半导体衬底，其特征在于，所述电子元件的侧壁与所述第一线路层的下表面之间的夹角小于所述开孔的侧壁与所述第一线路层之间的夹角。
9.根据权利要求7所述的半导体衬底，其特征在于，所述开孔的直径从下到上逐渐增大。
10.根据权利要求7所述的半导体衬底，其特征在于，多个所述电子元件一一对应地位于多个所述开孔中，多个所述电子元件具有不同功能。
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