[发明专利]一种图案化二维半金属薄膜的方法及其应用

权利要求书

1.一种图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基底上旋涂光刻胶层后加热所述光刻胶层；

曝光、显影形成图案化的光刻胶层；

在图案化的光刻胶层上沉积预定厚度的Pt薄层；

将沉积有Pt薄层的基底放置于第一无水乙醇中去除所述光刻胶层，随后将所述基底放置于第二无水乙醇中超声预定时间形成图案化的Pt薄层，所述超声的能量密度为42～54W/cm³；

采用化学气相沉积工艺，在所述基底上形成图案化的二维半金属二硫属化物PtR₂层。

2.根据权利要求1的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述二硫属化物PtR₂选用PtSe₂、PtTe₂或PtS₂。

3.根据权利要求1或2的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述超声的预定时间选用60～90秒。

4.根据权利要求3的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述超声的预定时间选用60秒。

5.根据权利要求3的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述Pt薄层的厚度选用10nm以下，其面积选用100μm²以上。

6.根据权利要求5的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述Pt薄层的厚度优选7nm以下。

7.根据权利要求1、2、4、5或6的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述将沉积有Pt薄层的基底放置于第一无水乙醇中去除所述光刻胶层的步骤包括，将所述沉积有Pt薄层的基底浸泡于第一无水乙醇中待基底的颜色变回基底本色后，使所述第一无水乙醇流动至光刻胶层上的Pt薄层被剥离。

8.根据权利要求7的所述图案化二维半金属薄膜的方法，其特征在于，所述二维半金属PtR₂层优选PtSe₂；所述基底选用SiO₂/Si基底。

9.一种图案化的二维半金属薄膜，其特征在于，所述图案化的二维半金属薄膜选用权利要求1至9的所述方法获得。

10.根据权利要求9的所述二维半金属薄膜，其特征在于，所述二维半金属薄膜在光电器件领域的应用。