[发明专利]斜面探测器件封装结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种斜面探测器件封装结构，包括金属底座、绝缘功能模块、探测器芯片、第一金属导通柱和金属帽管。通过将信号接收窗口、探测器芯片均设置为与待测斜面平行，不仅能够在探测器件性能良好的状况下直接对待测斜面结构进行探测，藉以满足斜面结构探测应用对探测器件的需求，而且能够使探测器芯片接收到由信号接收窗口射入的全部辐射通量（比如光线等），相较于传统的金属管帽将信号接收窗口设置于管帽顶部，能够更好地保证应用环节对辐射通量的需求，提升探测器件对斜面结构的探测精度，进而解决现有技术存在的探测器件性能较差以及由于辐射通量接收率低而影响探测器件探测精度的问题。

技术领域

本发明属于半导体探测领域，涉及一种半导体器件封装技术，特别是涉及一种斜面探测器件封装结构及其制作方法。

背景技术

半导体探测是目前工业生产中常用的探测技术。其中，紫外发光二极管被广泛应用于消毒杀菌、光学信号传输、工业制造等领域。

目前，现有的探测器件封装结构，普遍采用平面封装结构，即探测器件（比如二极管芯片）与金属底座平行设计，与接收到的光线垂直或呈夹角设置，探测器件（比如二极管芯片）只能接收到一部分光线，对探测器件探测精度造成很大影响。而且，现有的探测器件封装结构应用在小型化、集成化等应用结构时设计难度比较大，为了适应一些倾斜面，还需要将探测器件的金属导通柱弯曲处理，对整个探测器件性能造成较大影响。

因此，根据特定应用领域的探测需求，有必要提出一种能够直接对斜面（侧面）结构进行探测的斜面探测器件封装结构，以保证探测器件的探测性能和应用环节探测器件对全辐射通量（比如对光线的全部接收或接近全部接收）的需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种斜面探测器件封装结构，其能够直接对斜面结构进行探测，以解决上述现有技术存在的探测器件性能较差以及由于辐射通量接收率低而影响探测器件探测精度的问题。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

本发明提供一种斜面探测器件封装结构，包括：

金属底座；

绝缘功能模块，所述绝缘功能模块包括绝缘基板，所述绝缘基板倾斜设置于所述金属底座上；所述绝缘基板的朝向所述金属底座的一侧设置有背面导电层，所述绝缘基板的背离所述金属底座的一侧设置有正面导电层，所述正面导电层与所述背面导电层电连接；

探测器芯片，所述探测器芯片设置于所述绝缘基板的背离所述金属底座的一侧，并与所述正面导电层电连接，形成斜面探测端；

第一金属导通柱，所述第一金属导通柱的一端贯穿所述金属底座，并与所述背面导电层电连接，所述第一金属导通柱的另一端用于连接线路板；所述金属底座与所述第一金属导通柱之间绝缘设置；

金属帽管，所述金属帽管倒扣于所述金属底座上，以将所述绝缘功能模块和所述探测器芯片封装于所述金属帽管和所述金属底座之间；所述金属帽管上设置有倾斜布置的信号接收窗口，所述信号接收窗口、所述探测器芯片以及待测斜面之间两两相互平行，所述探测器芯片能够接收由所述信号接收窗口射入的全部辐射通量。

可选的，所述绝缘基板为陶瓷基板；所述金属底座的上表面开设有用于所述陶瓷基板插接的金属底座固定槽，所述陶瓷基板的底部设置用于与所述金属底座固定槽焊接的底部金属层。

可选的，所述底部金属层、所述正面导电层和/或所述背面导电层为电镀铜层。

可选的，所述绝缘基板上开设有过孔位，所述过孔位内穿设第二金属导通柱，所述第二金属导通柱的两端分别与所述正面导电层、所述背面导电层电连接。

可选的，所述金属底座上开设有金属底座通孔，所述金属底座通孔内设置有金属底座带孔绝缘柱，所述金属底座带孔绝缘柱上开设有供所述第一金属导通柱穿过的金属底座带孔绝缘柱通孔。