[发明专利]一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器

权利要求书

1.一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，包括顺次级联的第一级差分共射共基放大电路、级间匹配网络及第二级差分共射共基放大电路，所述第一级差分共射共基放大电路与第二级差分共射共基放大电路电路结构对称，所述级间匹配网络采用变压器匹配方式。

2.根据权利要求1所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一级差分共射共基放大电路包括输入匹配网络、顺序编号的晶体管Q1至晶体管Q4，所述输入匹配网络包括电容C1、电容C2、电感Lb、电感Le1、电感Le2及电阻Re1，所述电容C1的一端及电容C2的一端作为信号输入端，电容C1的另一端与电感Lb的一端以及晶体管Q1的基极连接，电容C2的另一端与电感Lb的另一端以及晶体管Q2的基极连接，晶体管Q1的发射极与电感Le1的一端连接，晶体管Q2的发射极与电感Le2的一端连接，电感Le1的另一端以及电感Le2的另一端通过电阻Re1接地；晶体管Q1的集电极与晶体管Q3的发射极连接，晶体管Q2的集电极与晶体管Q4的发射极连接，晶体管Q3的基极与晶体管Q4的基极连接，晶体管Q3的集电极以及晶体管Q4的集电极与级间匹配网络连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述第一级差分共射共基放大电路还包括电容C7以及电容C8，所述晶体管Q1和晶体管Q2共用基极偏置电压Vb1，所述电感Lb1的中心抽头接基极偏置电压Vb1，所述电容C7的一端与基极偏置电压Vb1连接，电容C7的另一端接地；所述晶体管Q3和晶体管Q4共用基极偏置电压Vb2，所述电容C8的一端与基极偏置电压Vb2连接，电容C8的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述晶体管Q1和晶体管Q2接有第一基极偏置电路，所述第一基极偏置电路包括晶体管Q9、电阻R1、电阻R2以及电阻Re3，所述晶体管Q9的基极与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端、电阻R2的一端及晶体管Q9的集电极连接并与电源Vdd连接，电源Vdd与晶体管Q9之间流过偏置电流，电阻R2的另一端接基极偏置电压Vb1，晶体管Q9的发射极通过电阻Re3接地。

5.根据权利要求3所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述晶体管Q3和晶体管Q4接有第二基极偏置电路，所述第二基极偏置电路包括电阻R3和电阻R4，所述电阻R3的一端接工作电压Vcc，电阻R3的另一端接基极偏置电压Vb2以及电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。

6.根据权利要求2所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述级间匹配网络包括电容C3、电容C4及变压器T1，所述电容C3的一端、晶体管Q3的集电极以及变压器T1的原边的一端连接，电容C3的另一端、晶体管Q4的集电极以及变压器T1的原边的另一端连接；变压器T1的副边的一端以及电容C4的一端连接，变压器T1的副边的另一端以及电容C4的另一端连接。

7.根据权利要求6所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述级间匹配网络还包括电容C9和电容C10，所述变压器T1的原边的中心抽头与工作电压Vcc连接，工作电压Vcc通过电容C9接地；所述变压器T1的副边的中心抽头与基极偏置电压Vb3连接，基极偏置电压Vb3通过电容C10接地。

8.根据权利要求6所述的一种用于相控阵雷达的W波段差分低噪声放大器，其特征在于，所述第二级差分共射共基放大电路包括电阻Re2、顺序编号的晶体管Q5至晶体管Q8以及输出匹配网络，所述晶体管Q5的一端与电容C4的一端连接，晶体管Q6的一端与电容C4的另一端连接，晶体管Q5的发射极及晶体管Q6的发射极通过电阻Re2接地；晶体管Q5的集电极与晶体管Q7的发射极连接，晶体管Q5的发射极与晶体管Q6的发射极连接，晶体管Q6的集电极与晶体管Q8的发射极连接。