[发明专利]一种大尺寸MEMS微镜结构及制作方法在审
申请号: | 202111298170.9 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN113985600A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 王棠猛;徐志飞 | 申请(专利权)人: | 珩图科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08 |
代理公司: | 扬州润中专利代理事务所(普通合伙) 32315 | 代理人: | 谢东 |
地址: | 200000 上海市青浦区赵巷镇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尺寸 mems 结构 制作方法 | ||
1.一种大尺寸MEMS微镜结构,其特征在于:包括MEMS微镜,MEMS微镜包括偏转机构,所述偏转机构的底部开设有若干个空腔,偏转机构的两端设置有连接部,连接部的端部通过转轴连接有驱动机构,驱动机构的底部设置有底座,底座开设有供偏转机构翻转的第一真空腔,驱动机构的两侧设置有驱动电极,底座设置有与驱动电极连通的TSV结构,所述偏转机构的顶部设置有镜面,镜面的上方设置有光学体,光学体包括与驱动机构固接的基座,基座的底部开设有供偏转机构翻转的第二真空腔,基座的顶部设置有半球体,半球体的投影覆盖偏转机构。
2.根据权利要求1所述的大尺寸MEMS微镜结构,其特征在于:所述第一真空腔的竖截面为矩形、梯形、三角形、半圆形中的一种或多种组合,所述第二真空腔的竖截面为矩形、梯形、三角形、半圆形中的一种或多种组合。
3.根据权利要求1所述的大尺寸MEMS微镜结构,其特征在于:所述底座的顶部至少设置有两个第一定位柱,驱动机构开设有第一定位柱插入的第一定位孔,所述基座的底部至少设置有两个第二定位柱,驱动机构开设有第二定位柱插入的第二定位孔。
4.根据权利要求3所述的大尺寸MEMS微镜结构,其特征在于:所述底座采用硅片、硅晶圆或玻璃制作。
5.根据权利要求1所述的大尺寸MEMS微镜结构,其特征在于:所述MEMS微镜的驱动方式可采用静电式或电磁式等。
6.一种如1-5任一所述的大尺寸MEMS微镜结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
a、制备MEMS微镜;
b、制备底座;
c、制备光学体;
d、整体装配:利用键合/胶粘等物理化学的方式将底座安装于MEMS微镜的底部,利用键合/胶粘等物理化学的方式将光学体安装于MEMS微镜的顶部。
7.根据权利要求6所述的大尺寸MEMS微镜结构的制作方法,其特征在于,所述步骤a中MEMS微镜的衬底采用硅晶圆,驱动方式采用静电式,具体步骤包括:
S1:将硅晶圆清洗后减薄到合适的厚度;
S2:在硅晶圆底部的四个拐角处分别刻蚀出一个第一定位孔,在硅晶圆顶部的四个拐角处分别刻蚀出一个第二定位孔;
S3:在硅晶圆上蒸发或溅射金属材料,刻蚀出镜面;
S4:在镜面的相对一侧刻蚀出若干个空腔;
S5:在硅晶圆上刻蚀转子梳齿、定子梳齿以及第一通孔;
S6:在第一通孔内填入金属引线作为驱动电极。
8.根据权利要求6所述的大尺寸MEMS微镜结构的制作方法,其特征在于,所述步骤b中底座采用硅晶圆、硅片或玻璃制作,具体步骤包括:
S7:将硅晶圆、硅片或玻璃清洗后减薄到合适的厚度;
S8:在底座顶部的四个拐角处分别刻蚀出一个第一定位柱;
S9:在底座顶部的中心位置刻蚀出第一真空腔,第一真空腔的竖截面为矩形、梯形、三角形、半圆形中的一种或多种组合;
S10:在底座的两侧刻蚀出第二通孔;
S11:在第二通孔制作TSV结构。
9.根据权利要求6所述的大尺寸MEMS微镜结构的制作方法,其特征在于,所述步骤c中光学体的基材采用硅材料,也可以采用玻璃等具有优异光学功能的材料,具体步骤包括:
S12:采用珪衬底热回流光刻胶方式在基座上刻蚀出半球体;
S13:在基座底部的四个拐角处分别刻蚀出一个第二定位柱;
S14:在基座底部的中心位置刻蚀出第二真空腔,第二真空腔的竖截面为矩形、梯形、三角形、半圆形中的一种或多种组合。
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