[发明专利]一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置在审
申请号: | 202111299149.0 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN113871273A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 戈西斌;王欣;石晓光;段少波 | 申请(专利权)人: | 西安中熔电气股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/055 | 分类号: | H01H85/055;H01H85/12 |
代理公司: | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人: | 胡思棉 |
地址: | 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分层 结构 依次 打断 导体 激励 保护装置 | ||
1.一种分层熔体结构,包括至少两根熔体,其特征在于,所述熔体上下分层设置,所述熔体两端并联连接形成连接端。
2.根据权利要求1所述的分层熔体结构,其特征在于,所述熔体折弯呈分层设置。
3.根据权利要求1所述的分层熔体结构,其特征在于,所述连接端开设有连接通孔。
4.根据权利要求1至3任一所述的分层熔体结构,其特征在于,在每根所述熔体上分别设置有断开薄弱处。
5.根据权利要求4所述的分层熔体结构,其特征在于在所述熔体上设置有狭颈。
6.一种依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,包括壳体,激励源、冲击装置、导体,其特征在于,在所述导体上还并联连接有权利要求1至5任一所述分层熔体结构;当激励源驱动冲击装置动作断开所述导体后,所述冲击装置依次断开所述分层熔体结构上的各层熔体。
7.根据权利要求6所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,在每根所述熔体上设置有至少一个预断口,在至少一个预断口处设置有推块机构,所述冲击装置驱动所述推块机构断开所述熔体预断口形成断口。
8.根据权利要求7所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,所述推块机构以嵌套装置形式夹持在所述熔体预断口上。
9.根据权利要求6所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,所述分层熔体结构位于所述导体下方的壳体中,在所述导体及分层熔体结构的每根熔体上分别设置有至少一个断开薄弱处,在所述冲击装置上对应设置有断开所述导体和每根所述熔体断开薄弱处的冲击头。
10.根据权利要求6至9任一所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,所述壳体自上而下依次包括保护套、支撑壳、上壳体、下壳体、熔体壳体和支撑板,各壳体间接触面处为密封接触;所述激励源设置在所述支撑壳中通过所述保护套固定,所述激励源与所述支撑壳接触处为密封接触;所述冲击装置设置于所述上壳体中,所述冲击装置与所述上壳体接触面处为密封接触;所述导体穿设固定在所述上壳体与所述下壳体间;所述分层熔体结构位于所述下壳体内,通过所述熔体壳体进行支撑;所述支撑板用于固定所述熔体壳体。
11.根据权利要求10所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,在所述支撑壳与所述上壳体相接触的端面间设置有用来装配定位和密封的凸块凹槽结构。
12.根据权利要求10所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,在所述上壳体空腔上端处形成一圈倒角斜面,在所述冲击装置上端处对应设置有尖状凸棱,所述尖状凸棱卡设在所述倒角斜面上对所述冲击装置初始位置限位。
13.根据权利要求10所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,其特征在于,在所述下壳体和熔体壳体形成的密闭空腔中填充有灭弧介质,所述熔体穿设在所述灭弧介质中,熔体的狭颈完全位于所述灭弧介质中。
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