[发明专利]一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 202111300105.5 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114242562A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 避免 单面 化学 镀漏液 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于，包括：将形成Taiko环的晶圆装载于固定架上，令Taiko环所在面粘附在固定架中部的装载膜上，装载膜外圈用刚性支撑环固定；对固定好的晶圆进行环切，去除晶圆上的Taiko环，然后将环切后仍装载于固定架上的晶圆与固定架一起放入镀液中进行单面化学镀。
2.根据权利要求1所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述刚性支撑环采用金属环，金属环外部用耐腐蚀非金属材料包覆。
3.根据权利要求2所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述金属环外部用聚乙烯包覆。
4.根据权利要求1所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述刚性支撑环采用耐腐蚀非金属环。
5.根据权利要求1所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述装载膜具有粘附性且耐腐蚀。
6.根据权利要求5所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述装载膜采用UV膜。
7.一种半导体器件制造方法，其特征在于：包括如权利要求1至6任一所述避免单面化学镀漏液的方法。
8.根据权利要求7所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：完成单面化学镀后，还包括对晶圆进行划片。
9.根据权利要求8所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：对晶圆划片时，直接利用装载晶圆的固定架作为固定载体，对未被装载膜粘附的晶圆面进行划片。
10.根据权利要求7所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：半导体器件为IGBT。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
