[发明专利]一种抗噪声干扰的自适应复位窄脉冲产生电路

说明书

一种抗噪声干扰的自适应复位窄脉冲产生电路，在传统置位和复位电路的基础上增设自适应复位电路、放电脉冲电路、二选一选择电路、电压比较器和电平信号与自适应电流信号产生电路，自适应复位电路输出的自适应复位信号与传统复位电路输出的复位信号共同作为二选一选择电路的输入信号，当产生共模dv/dt噪声的宽度大于等于输入脉冲宽度时，电压比较器控制二选一选择电路选择自适应复位信号与传统置位电路输出的置位信号共同构成后级高压电平移位电路的驱动信号；反之，选择传统复位电路输出的复位信号与传统置位电路输出的置位信号共同构成后级高压电平移位电路的驱动信号。

技术领域

本发明涉及用于驱动高压电平移位电路的两路窄脉冲产生电路，尤其涉及一种抗噪声干扰的自适应复位窄脉冲产生电路，属于模拟集成电路(驱动芯片)技术领域。

背景技术

现在市场上大多数的功率电子芯片或者集成电路驱动芯片系统中，都存在着两路窄脉冲产生器电路，这种电路采用RC延时技术，实现在输入脉冲的上升沿和下降沿分别产生两路窄脉冲信号输出给高压电平移位电路。窄脉冲产生电路属于高压集成(HVIC)的典型电路之一。这类HVIC在液晶屏显示、电机驱动以及其他消费电子和工业控制领域具有广泛的应用，都是需要用到高低压兼容工艺，利用高压LDMOS器件将窄脉冲产生电路输出的低压控制信转换为高压控制信号，从而驱动高压侧电路工作。

驱动芯片电路中有高压电平移位电路，现有的高压电平移位电路的LDMOS管的漏端有较大的寄生电容，由于高压侧电路采用浮动电源供电，所以外部功率管的开启与关断会使VS节点产生dv/dt干扰噪声，并通过自举电容使得浮动电压VB上也会有dv/dt干扰噪声，加上高压电平移位电路中LDMOS漏端的寄生电容影响，快速变化的电压会形成位移电流对寄生电容进行充电，因此该位移电流会在高压电平移位电路的两个LDMOS漏端上侧的电阻上均产生很大的电压降，使高压电平移位电路的输出信号带有较大的共模dv/dt干扰噪声，同时电路中还存在工艺偏差导致的差模噪声。这些噪声干扰都很有可能致使驱动芯片误触发，从而造成芯片系统故障。

驱动芯片电路中有窄脉冲产生电路,传统的窄脉冲产生电路在输入脉冲信号的上升沿和下降沿分别产生一路窄脉冲信号，两路窄脉冲信号的宽度一致。由于高压电平移位电路的输出信号中带有较大的共模dv/dt干扰噪声，该噪声干扰有可能会滤除窄脉冲产生电路输出给高压侧电平移位电路的窄脉冲复位信号，致使后一级RS锁存器不能检测到复位信号，使得高压侧驱动级电路的输入脉冲信号长时间为高电平，从而会导致芯片系统故障和外部功率管的损坏。