[发明专利]高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法

权利要求书

1.高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、原料混合，将准备好高熵硼硅陶瓷混合粉末和致密剂分别研磨、干燥和过筛，过筛后的高熵硼硅陶瓷混合粉经研磨后粒径控制在40-50um，致密剂经研磨后粒径控制在1-10um；

步骤二、将过高熵硼硅陶瓷混合粉末和致密剂搅拌混合加入冷喷涂设备；

步骤三、基材清理，基材打磨剖光，打磨剖光时间1-2h，热风风干0.5-1.0h；

步骤四、操控冷喷枪体出口速度1000-1100m/s，供粉速度60-80g/min对基材需覆膜区域进行喷涂，制得高熵硼硅陶瓷复合涂层；

步骤五、对制得高熵硼硅陶瓷复合涂层表面进行打磨剖光。

2.根据权利要求1所述的高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法，其特征在于，在步骤一中，所述高熵硼硅陶瓷混合粉末和致密剂分别经硬质合金搅拌球磨机进行磨制16-24h和32-48h，干燥温度300-400℃，干燥时间2-3h，干燥后高熵硼硅陶瓷混合粉筛网中过筛制得40-50um粒子，致密剂筛网过筛制得1-10um粒子。

3.根据权利要求1所述的高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法，其特征在于，在步骤三中，基材打磨剖光主要为清理基材表面的油脂、碎屑和氧化层，打磨剖光后进行热风风干0.5-1.0h，热风温度50-60℃。

4.根据权利要求1所述的高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法，其特征在于，在步骤四中，通过冷喷涂设备往返对基材表面喷涂制得高熵硼硅陶瓷复合涂层厚度为1-2mm。

5.根据权利要求1所述的高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法，其特征在于，在步骤五中，对制得高熵硼硅陶瓷复合涂层表面进行打磨剖光时间为45-60min。

6.根据权利要求1-5所述的高熵硼硅陶瓷表面材料冷喷涂制备梯度陶瓷涂层的方法，其特征在于，所述冷喷涂制备陶瓷涂层所使用的材料为一种高熵硼硅陶瓷表面材料。

7.一种高熵硼硅陶瓷表面材料，其特征在于，包含：高熵硼硅陶瓷混合粉90-95份，致密剂5-10份。

8.根据权利要求8所述的一种高熵硼硅陶瓷表面材料，其特征在于，所述高熵硼硅陶瓷混合粉组成分数为：碳化硼：70-85份,碳化硅：5-15份，氮化硅：10-15份，均为重量份，所述致密剂包含组成分数为：氮化铝20-30份，氧化铝70-80份。