[发明专利]一种解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺在审
申请号: | 202111301074.5 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114038734A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 廖世保;刘大威;卢证凯;陈新来 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 林志豪 |
地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解决 先进 节点 图案 化崩毁 清洗 工艺 | ||
1.一种解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,包括:
S1、第一次化学药液清洗,取晶圆放入在具有清洗腔体的旋转平台上,利用对应的化学药液喷淋装置将所述化学药液均匀喷淋在所述晶圆的表面,同时所述晶圆与所述旋转平台之间进行非接触旋转;
S2、第一次超纯水清洗,利用超纯水清洗所述晶圆表面,并搭配对应的超纯水喷淋系统进行往复摆动清洗;
S3、干燥及表面覆盖处理,利用异丙醇喷淋装置和氮气喷淋装置进行往复摆动,使对应的异丙醇和氮气喷淋在所述晶圆表面,形成初步晶圆表面批覆异丙醇纳米薄膜;
S4、高温异丙醇的植入覆盖,利用异丙醇或超临界干燥模组,注入气态或液态异丙醇,使得所述气态或液态异丙醇在所述晶圆表面堆积;
S5、超临界流体植入,利用所述异丙醇或超临界干燥模组,注入超临界流体,促使所述晶圆表面进行所述超临界流体的堆积;
S6、异丙醇及超临界流体的析出,在所述异丙醇或超临界干燥模组中,利用所述超临界流体对所述异丙醇的置换动作,将异丙醇堆积分子团产生张力的排压行为,逐渐产生对所述晶圆表面进行所述超临界流体的张力排压。
2.如权利要求1所述的解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,当所述第一次超纯水清洗完成后,需要进行第二次化学药液清洗,用于消除晶圆表面的静电。
3.如权利要求2所述的解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,所述第二次化学药液清洗过程包括:利用超声波纳米喷淋系统将对应的稀释后的化学药液均匀喷淋在所述晶圆的表面。
4.如权利要求3所述的解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,所述第二次化学药液清洗过程中的所述化学药液为经过稀释后氨水、双氧水和二氧化碳的混合物。
5.如权利要求2所述的解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,当所述第二次化学药液清洗完成后,需要对所述晶圆表面进行第二次超纯水清洗。
6.如权利要求5所述的解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,所述第二次超纯水清洗过程包括:利用所述超纯水喷淋系统的往复式摆动,将所述超纯水均匀喷淋在所述晶圆的表面,并配合所述旋转平台与所述晶圆的非接触旋转,同时并通入氮气对所述晶圆表面进行覆盖。
7.如权利要求1所述的解决先进节点的图案化崩毁的清洗工艺,其特征在于,当所述异丙醇及超临界流体的析出过程完成后,需要将所述异丙醇和所述超临界流体排出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造