[发明专利]一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器

权利要求书

1.一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，包括多个单像素结构，其特征在于，所述单像素结构包括：

基板层；

第一宽禁带半导体层，位于所述基板层上；

第二宽禁带半导体层与缓冲层，位于所述第一宽禁带半导体层上，且所述第二宽禁带半导体层与所述缓冲层在水平方向上间隔设置；

硅基材料层，位于所述缓冲层上，所述硅基材料层中设有第一掺杂区域、第二掺杂区域及第三掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域在水平方向上间隔设置，所述第一掺杂区域位于所述第二掺杂区域下方并与所述第二掺杂区域接触；

第一阴极引出端，位于所述第二宽禁带半导体层上；

阳极引出端与第二阴极引出端，位于所述硅基材料层上，且所述阳极引出端与所述第二阴极引出端在水平方向上间隔设置，所述阳极引出端与所述第二掺杂区域接触，所述第二阴极引出端与所述第三掺杂区域接触。

2.根据权利要求1所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一宽禁带半导体层、所述第二宽禁带半导体层、所述缓冲层、所述硅基材料层、所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域均为第一导电类型，所述第二掺杂区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

3.根据权利要求2所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一导电类型为N型或P型。

4.根据权利要求2所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一掺杂区域的掺杂浓度高于所述硅基材料层、所述第一宽禁带半导体层及所述缓冲层的掺杂浓度；所述第二掺杂区域、所述第三掺杂区域及所述第二宽禁带半导体层的掺杂浓度均高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度，所述缓冲层的掺杂浓度不高于所述第一宽禁带半导体层的掺杂浓度，所述硅基材料层的掺杂浓度不低于所述缓冲层的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一宽禁带半导体层的材料包括GaN、AlGaN、GaO、SiC及ZnO中的至少一种，所述第二宽禁带半导体层的材料包括GaN、AlGaN、GaO、SiC及ZnO中的至少一种，所述缓冲层的材料包括Si、AlGaN及GaN层中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述基板层的材质包括蓝宝石、石英中的至少一种，用于选择性透过200nm～380nm紫外波段光子。

7.根据权利要求1所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一宽禁带半导体层用于吸收日盲紫外线光子并转换为电信号。

8.根据权利要求7所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一宽禁带半导体层用于吸收波长小于380nm的日盲紫外线光子。

9.根据权利要求1所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第一宽禁带半导体层的厚度范围是100nm～2000nm。

10.根据权利要求1所述的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述探测器在进行日盲紫外线探测时，所述第一阴极引出端接第一电位V1，所述第二阴极引出端接第二电位V2，所述阳极引出端接第三电位V3，其中，V1＞V2＞V3。