[发明专利]声表面波温度压力双参数传感装置及其制备方法

权利要求书

1.一种声表面波温度压力双参数传感装置，其特征在于，包括：键合在一起的第一耐高温基底和第二耐高温基底；所述第二耐高温基底上形成有凹槽，以在所述第一耐高温基底和所述第二耐高温基底之间形成密封空腔；所述第一耐高温基底位于所述空腔内的第一表面上形成有第一声表面波温度传感器和声表面波压力传感器，所述第一耐高温基底的与所述第一表面相对的第二表面上形成有第二声表面波温度传感器，所述第一声表面波温度传感器、所述第二声表面波温度传感器、所述声表面波压力传感器相互电连接。

2.根据权利要求1所述的声表面波温度压力双参数传感装置，其特征在于，所述第一耐高温基底和所述第二耐高温基底的材料均为硅酸镓镧。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波温度压力双参数传感装置，其特征在于，所述声表面波压力传感器位于所述空腔内所述第一表面的中心，所述第一声表面波温度传感器位于所述空腔内所述第一表面的边缘。

4.根据权利要求3所述的声表面波温度压力双参数传感装置，其特征在于，所述第二声表面波温度传感器与所述第一声表面波温度传感器的位置相对。

5.根据权利要求1所述的声表面波温度压力双参数传感装置，其特征在于，所述第一耐高温基底上形成有通孔，所述通孔内填充有导电金属，用于电连接所述第二声表面波温度传感器与所述第一声表面波温度传感器和所述声表面波压力传感器。

6.根据权利要求1所述的声表面波温度压力双参数传感装置，其特征在于，还包括覆盖在所述第一声表面波温度传感器、所述第二声表面波温度传感器和所述声表面波压力传感器表面的防护层。

7.一种声表面波温度压力双参数传感装置的制备方法，其特征在于，包括：

(1)在第二耐高温基底上形成凹槽；

(2)在第一耐高温基底的第一表面上形成第一声表面波温度传感器和声表面波压力传感器；

(3)键合所述第一耐高温基底和所述第二耐高温基底，以在所述第一耐高温基底和所述第二耐高温基底之间形成密封空腔，所述第一声表面波温度传感器和所述声表面波压力传感器位于所述密封空腔内；

(4)在所述第一耐高温基底的与所述第一表面相对的第二表面上形成第二声表面波温度传感器。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)还包括：在所述第一声表面波温度传感器和所述声表面波压力传感器上形成防护层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)还包括：在所述第二声表面波温度传感器上形成防护层。

10.根据权利要求7～9任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)和所述步骤(3)之间，还包括：在所述第一耐高温基底上形成通孔；在所述通孔内填充导电金属，所述导电金属与所述第一声表面波温度传感器和所述声表面波压力传感器电连接。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(4)之后，还包括：在所述第二表面形成导线，电连接所述第二声表面波温度传感器和所述导电金属。