[发明专利]布局紧密且对共模噪声高度免疫的连续时间线性均衡器在审

专利信息
申请号: 202111305460.1 申请日: 2021-11-05
公开(公告)号: CN115483897A 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 林嘉亮;简廷旭 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03G5/16 分类号: H03G5/16
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 布局 紧密 噪声 高度 免疫 连续 时间 线性 均衡器
【权利要求书】:

1.一种连续时间线性均衡器,包含:

一共源极放大器,用来依据一偏压电流接收一输入信号以及输出一输出信号;

一电流源,受控于一第一偏压电压,并用来输出该偏压电流;

一主动式负载,受控于一第二偏压电压,并作为该共源极放大器的一负载;

一共模感测电路,用来感测该输出信号的一共模电压;

一电流源控制器,用来依据该共模电压与一参考电压输出该第一偏压电压,其中该参考电压源自于该主动式负载的一供应电压以及一第一参考电流;以及

一主动式负载控制器,用来依据该主动式负载的该供应电压以及一第二参考电流输出该第二偏压电压。

2.如权利要求1所述的连续时间线性均衡器,其中该连续时间线性均衡器使用一差分信号架构,该输入信号包含一第一输入电压与一第二输入电压,以及该输出信号包含一第一输出电压与一第二输出电压。

3.如权利要求2所述的连续时间线性均衡器,其中该偏压电流包含一第一偏压电流与一第二偏压电流。

4.如权利要求3所述的连续时间线性均衡器,其中该共源极放大器包含两个n通道金属氧化物半导体晶体管,所述两个n通道金属氧化物半导体晶体管分别用来依据该第一偏压电流与该第二偏压电流,接收该第一输入电压与该第二输入电压以及输出该第二输出电压与该第一输出电压。

5.如权利要求4所述的连续时间线性均衡器,其中该电流源包含另外两个n通道金属氧化物半导体晶体管,所述另外两个n通道金属氧化物半导体晶体管用来依据该第一偏压电压输出该第一偏压电流与该第二偏压电流。

6.如权利要求2所述的连续时间线性均衡器,其中该共模感测电路包含串联的两个电阻,所述两个电阻设置于该第一输出电压与该第二输出电压之间,以及该共模电压是接通于所述两个电阻的一连接点。

7.如权利要求2所述的连续时间线性均衡器,进一步包含一源极衰减电路,该源极衰减电路用来衰减该共源极放大器,以降低该共源极放大器的一低频增益。

8.如权利要求1所述的连续时间线性均衡器,其中该电流源控制器包含一电阻、一操作放大器以及一电容;该第一参考电流从该主动式负载的该供应电压流过该电阻,以建立该参考电压;该操作放大器用来放大该共模电压与该参考电压之间的一差异以产生该第一偏压电压;以及该电容用来保持该第一偏压电压。

9.如权利要求1所述的连续时间线性均衡器,其中该主动式负载控制器包含一n通道金属氧化物半导体晶体管、一电阻以及一电容;该n通道金属氧化物半导体晶体管用来增加该主动式负载的该供应电压以产生该第二偏压电压;该电阻用来允许该第二参考电流流进该n通道金属氧化物半导体晶体管,且用来控制该供应电压被增加的量;以及该电容用来保持该第二偏压电压。

10.如权利要求1所述的连续时间线性均衡器,其中该主动式负载包含一主动式电感;该主动式电感包含一n通道金属氧化物半导体晶体管、一栅极电阻以及一栅极至源极电容;该n通道金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至该共源极放大器,该n通道金属氧化物半导体晶体管的一漏极耦接至该供应电压,以及该n通道金属氧化物半导体晶体管的一栅极经由该栅极电阻耦接至该第二偏压电压;以及该栅极至源极电容设置于该n通道金属氧化物半导体晶体管的该栅极与该源极之间。

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