[发明专利]一种模拟晶界迁移的实验方法

权利要求书

1.一种模拟晶界迁移的实验方法，其特征在于：具体实验方法如下：

S1：选取单晶样品：单晶样品选择采用圆盘状高纯单晶样品，且纯度大于99.9999wt%；样品的直径为10-20mm，样品的厚度为0.5-2mm；并标记出每片单晶的特定晶向；

S2：单晶样品堆叠：将两片单晶样品层叠堆放，两片单晶样品所标记的特定晶向之间夹角为θ°，并将层叠的单晶样品放置入高压扭转设备的模具之中；

S3：单晶样品旋转：通过高压扭转的方式，在低应变速率下对堆叠单晶样品施加剪切变形；高压扭转的旋转角度小从到大分为多组，覆盖不同的塑性变形量，最大旋转角度小于360°；层叠单晶样品在剪应力作用下逐渐发生塑性变形，圆盘边缘部分从单晶状态演变为晶粒度为几十到几百微米的晶粒；

S4：样品的裁切：将样品从上层样品的标定晶向沿着直径切开，通过电子显微镜在圆盘的轴向截面边缘寻找越过上下层界面的晶界；此时迁移晶界周围为大体积样品下真实的多晶环境；以该状态下的晶界作为研究对象，收集它们的特征参数，为后续进一步的剪切耦合晶界迁移实验和模拟提供基础数据。

2.根据权利要求1所述的一种模拟晶界迁移的实验方法，其特征在于：所述S3中高压旋转工艺中采用的是平行于轴线方向施加压力，且压力大小为0.5-12GPa，绕着轴线进行旋转，且旋转速度为0.5 r/min。