[发明专利]一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法

权利要求书

1.一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将PDMS薄膜贴在载玻片上；

2)使用机械剥离法将待转移的二维材料块体剥离至步骤1)得到的PDMS薄膜上；

3)在显微镜下找到步骤2)机械剥离后的二维材料，并将多余部分的PDMS薄膜剪切掉；

4)将步骤3)得到的带有材料的载玻片固定于二维材料转移台的基片卡槽内；

5)将带有孔洞的Si衬底吸附于转移台的样品座上；

6)将步骤4)中的材料对准Si衬底上的孔洞，升温使PDMS薄膜与Si衬底部分接触；

7)继续升温使得PDMS薄膜自发地与Si衬底贴合紧密；

8)降温使PDMS薄膜与Si衬底分离。

2.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤1)中，所述PDMS薄膜的长宽可为1～3cm，厚度约为1mm。

3.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤2)中，所述待转移的二维材料为石墨烯、二硫化钼、氮化硼。

4.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤3)中，所述薄膜剪切后的长宽为3～5mm，剪切时，材料边界距离薄膜边界预留2～4mm宽度，二维材料尽量在剪切后的薄膜中央。

5.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤5)中，将带有孔洞的Si衬底尺寸为5～15μm。

6.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤6)中，所述升温是升至50～100℃。

7.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤7)中，所述继续升温是升至100～150℃，升温速率为2～8℃/min，恒温后保持1～30min。

8.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤8)中，所述降温的速率为0.1～5℃/min。

9.如权利要求1所述一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，其特征在于在步骤8)中，所述分离通过旋转转移台的xy轴样品杆控制分离速率，或通过降温使材料自发地与样品分离，保持较低的降温速率。