[发明专利]金属氧化物掺杂层、太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物掺杂层，其特征在于，所述金属氧化物掺杂层从其一侧的第一表面到另一侧的第二表面，所述金属氧化物掺杂层的功函数逐渐变化。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物掺杂层，其特征在于，所述金属氧化物掺杂层包括层叠设置的至少一层金属氧化层和至少一层掺杂层。

3.根据权利要求2所述的金属氧化物掺杂层，其特征在于，

所述金属氧化物掺杂层包括叠层设置的n层金属氧化层和m层掺杂层，其中，n和m为大于1的整数；

所述金属氧化层和掺杂层交叉叠层设置，以及在所述金属氧化层和掺杂层的交界处，所述掺杂层的材料部分扩散到所述金属氧化层中。

4.根据权利要求3所述的金属氧化物掺杂层，其特征在于，通过调整所述金属氧化物掺杂层的结构和材料来调整所述金属氧化物掺杂层从第一表面到第二表面逐渐变化的功函数。

5.根据权利要求4所述的金属氧化物掺杂层，其特征在于，调整所述金属氧化物掺杂层的结构和材料包括调节金属氧化层的厚度、掺杂层的厚度、金属氧化层的材料、掺杂层的材料和金属氧化层和掺杂层的排列顺序中的任意一种或两种以上。

6.根据权利要求5所述的金属氧化物掺杂层，其特征在于，n层所述金属氧化层的厚度逐渐变化；m层所述掺杂层的厚度相同。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物掺杂层，其特征在于，所述金属氧化层的厚度逐渐变大或变小，所述金属氧化物掺杂层的功函数也逐渐变大或变小。

8.一种太阳能电池，其特征在于，包括层叠设置的上层电池和下层电池，所述上层电池与所述下层电池之间具有权利要求1-7任一项所述的金属氧化物掺杂层。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述上层电池具有第一载流子传输层，所述下层电池具有N型硅层或P型硅层，所述金属氧化物掺杂层的第一表面与所述第一载流子传输层层叠设置，所述金属氧化物掺杂层的第二表面与所述N型硅层或P型硅层层叠设置。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述下层电池具有N型硅层，所述第一载流子传输层为空穴传输层，

所述金属氧化物掺杂层的第一表面的功函数与所述空穴传输层的HOMO能级一致，

所述金属氧化物掺杂层的第二表面的功函数与所述N型硅层的导带一致，

所述金属氧化物掺杂层从第一表面到第二表面的方向上，所述金属氧化物掺杂层的功函数逐渐变大。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述下层电池具P型硅层，所述第一载流子传输层为电子传输层，

所述金属氧化物掺杂层的第一表面的功函数与所述电子传输层的LUMO能级一致，

所述金属氧化物掺杂层的第二表面的功函数与所述P型硅层的价带一致，

所述金属氧化物掺杂层从第一表面到第二表面的方向上，所述金属氧化物掺杂层的功函数逐渐变小。

12.一种金属氧化物掺杂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

金属氧化层和掺杂层交叉叠层设置，从而形成金属氧化物掺杂层；

所述金属氧化物掺杂层从其一侧的第一表面到另一侧的第二表面，所述金属氧化物掺杂层的功函数逐渐变化。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物掺杂层包括叠层设置的n层金属氧化层和m层掺杂层，其中，n和m为大于1的整数。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，n层所述金属氧化层的厚度逐渐变化；

m层所述掺杂层的厚度相同。