[发明专利]全能质量处理电路及装置在审

专利信息
申请号: 202111311097.4 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN114094583A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 周丽;邹大伟 申请(专利权)人: 深圳励特电能质量有限公司
主分类号: H02J3/01 分类号: H02J3/01;H02J3/12;H02J3/32;H02J9/06;H02M7/23
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 赵胜宝
地址: 518000 广东省深圳市光明区凤*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 全能 质量 处理 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种全能质量处理电路,其特征在于,所述全能质量处理电路包括控制器件和主处理电路,所述主处理电路同时与负载以及供电电网电连接,所述主处理电路设置有PWM变流器和电感线圈,所述电感线圈一端同时与所述负载以及所述供电电网电连接,所述电感线圈另一端与所述PWM变流器电连接;

其中,所述控制器件用于获取从所述负载流向所述供电电网的谐波电流的电流瞬时值,并根据所述电流瞬时值生成控制指令信号,将所述控制指令信号传输至所述主处理电路;所述PWM变流器用于根据所述控制指令信号将所述供电电网传输至所述主处理电路的供电电压转换为实际电压,所述电感线圈用于根据所述实际电压输出等效负载电流,并将所述等效负载电流向所述负载进行传输;所述等效负载电流的电流大小等同于所述谐波电流的电流大小,所述等效负载电流的电流方向与所述谐波电流的电流方向相反。

2.如权利要求1所述全能质量处理电路,其特征在于,所述PWM变流器包括第一PWM变流器和第二PWM变流器,所述第一PWM变流器与所述第二PWM变流器呈并联连接关系;

所述电感线圈包括第一电感线圈和第二电感线圈,所述第一电感线圈的一端同时与所述负载、供电电网、第二电感线圈的一端电连接,所述第一电感线圈的另一端与所述第一PWM变流器电连接,所述第二电感线圈的另一端与所述第二PWM变流器电连接;

其中,所述第一PWM变流器和所述第二PWM变流器分别用于根据所述控制指令信号将所述供电电网传输至所述主处理电路的供电电压对应转换为第一实际电压以及第二实际电压,所述第一电感线圈和第二电感线圈分别用于根据所述第一实际电压、第二实际电压输出第一负载电流以及第二负载电流;

所述第一负载电流与所述第二负载电流构成所述等效负载电流。

3.如权利要求2所述全能质量处理电路,其特征在于,所述主处理电路还设置有第一磁性线圈和第二磁性线圈;

所述第一磁性线圈电连接于所述第一电感线圈另一端和所述第一PWM变流器之间,所述第二磁性线圈电连接于所述第二电感线圈另一端和所述第二PWM变流器之间。

4.如权利要求3所述全能质量处理电路,其特征在于,所述第一PWM变流器包括第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件、第四IGBT器件、第五IGBT器件和第六IGBT器件;

所述第一IGBT器件的发射极同时与所述第二IGBT器件的发射极、第三IGBT器件的发射极、第二PWM变流器电连接,所述第一IGBT器件的集电极同时与所述第一磁性线圈另一端、第四IGBT器件的发射极电连接,所述第四IGBT器件的集电极同时与所述第五IGBT器件的集电极、第六IGBT器件的集电极、第二PWM变流器电连接,所述第五IGBT器件的发射极同时与所述第二IGBT器件的集电极、所述第一磁性线圈另一端电连接,所述第六IGBT的发射极同时与所述第三IGBT器件的集电极、所述第一磁性线圈另一端电连接,所述第一IGBT器件的栅极、第二IGBT器件的栅极、第三IGBT器件的栅极、第四IGBT器件的栅极、第五IGBT器件的栅极和第六IGBT器件的栅极均与所述控制器件电连接。

5.如权利要求4所述全能质量处理电路,其特征在于,所述第二PWM变流器包括第七IGBT器件、第八IGBT器件、第九IGBT器件、第十IGBT器件、第十一IGBT器件和第十二IGBT器件;

所述第七IGBT器件的发射极同时与所述第八IGBT器件的发射极、第九IGBT器件的发射极、第一IGBT器件的发射极、第二IGBT器件的发射极、第三IGBT器件的发射极电连接,所述第七IGBT器件的集电极同时与所述第二磁性线圈另一端、第十IGBT器件的发射极电连接,所述第十IGBT器件的集电极同时与第十一IGBT器件的集电极、第十二IGBT器件的集电极、第四IGBT器件的集电极、第五IGBT器件的集电极、第六IGBT器件的集电极电连接,所述第十一IGBT器件的发射极同时与所述第八IGBT器件的集电极、第二磁性线圈另一端电连接,所述第十二IGBT器件的发射极同时与所述第九IGBT器件的集电极、第二磁性线圈另一端电连接,所述第七IGBT器件的栅极、第八IGBT器件的栅极、第九IGBT器件的栅极、第十IGBT器件的栅极、第十一IGBT器件的栅极和第十二IGBT器件的栅极均与所述控制器件电连接。

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