[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

说明书

本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述半导体器件的制作方法包括：在基底的背面形成停止层，其中，所述基底的背面与所述基底的正面相对设置，所述基底的侧面分别与所述基底的正面和背面连接；在所述基底的正面、侧面以及所述停止层背离所述基底的一侧形成栅极层；去除所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的栅极层，使所述基底正面的栅极层形成栅极。本发明实施例能够避免栅极层去除时基底背面被损坏，提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。

背景技术

目前，在半导体器件中形成晶体管的栅极时，会在基底的正面、侧面和背面形成栅极层，然后去除基底侧面的栅极层，以避免后续加热处理工艺中基底侧面的栅极层发生脱落。基底背面的栅极层保留，但栅极层的厚度较大，后续在基底背面形成覆盖栅极层的其他膜层时容易导致膜层脱落。若在去除基底侧面的栅极层时，同时去除基底背面的栅极层，由于基底侧面和背面的膜层刻蚀速率不同，会对基底背面造成损坏，影响半导体器件的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统，能够避免栅极层去除时基底背面被损坏，提高半导体器件的性能。

本发明实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

在基底的背面形成停止层，其中，所述基底的背面与所述基底的正面相对设置，所述基底的侧面分别与所述基底的正面和背面连接；

在所述基底的正面、侧面以及所述停止层背离所述基底的一侧形成栅极层；

去除所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的栅极层，使所述基底正面的栅极层形成栅极。

进一步，所述在基底的背面形成停止层的步骤，包括：

提供位于所述基底侧面和背面的掩膜层，以及位于所述掩膜层背离所述基底一侧的介质层；所述基底背面的掩膜层的厚度大于所述基底侧面的掩膜层的厚度；

对所述介质层和所述掩膜层进行刻蚀，以去除所述介质层和部分掩膜层，所述基底背面剩余的掩膜层构成所述停止层。

进一步，刻蚀所述掩膜层的刻蚀速率小于刻蚀所述介质层的刻蚀速率。

进一步，所述掩膜层包括氮化硅，所述介质层包括氧化硅。

进一步，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层；

所述提供位于所述基底侧面和背面的掩膜层，以及位于所述掩膜层背离所述基底一侧的介质层的步骤，包括：

提供位于所述基底正面、侧面和背面的初始掩膜层，以及位于所述基底侧面的第一子介质层，所述第一子介质层位于所述初始掩膜层背离所述基底的一侧；所述基底正面和背面的初始掩膜层的厚度大于所述基底侧面的初始掩膜层的厚度；

在所述基底的背面形成第二子介质层，且所述第二子介质层位于所述初始掩膜层背离所述基底的一侧；

去除所述基底正面的初始掩膜层，使所述基底侧面和背面的初始掩膜层构成所述掩膜层。

进一步，在所述去除所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的栅极层的步骤之后，还包括：

在所述基底的侧面以及所述停止层背离所述基底的一侧形成保护层。

进一步，所述保护层包括位于所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的第一氮化硅层，位于所述第一氮化硅层背离所述基底一侧的氧化硅层，以及位于所述氧化硅层背离所述基底一侧的第二氮化硅层。

相应地，本发明实施例还提供了一种半导体器件，包括：

基底；