[发明专利]半导体元件、半导体装置

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具有：

半导体基板；

发射极电极，其形成于所述半导体基板之上；

栅极电极，其形成于所述半导体基板之上；

第1导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板之中；

第1导电型的源极层，其形成于所述半导体基板的上表面侧；

第2导电型的基极层，其形成于所述半导体基板的上表面侧；

集电极电极，其形成于所述半导体基板之下；以及

2层哑有源沟槽，其在所述半导体基板的沟槽的内部，在上层具有不与所述栅极电极连接的上层哑部，在下层具有与所述栅极电极连接、被绝缘膜覆盖的下层有源部，

所述下层有源部的长度方向长度比所述下层有源部的宽度大。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

具有有源沟槽，该有源沟槽具有沿所述半导体基板的沟槽设置的栅极绝缘膜、与所述栅极绝缘膜接触地设置且与所述栅极电极连接的有源部。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

在俯视观察时在形成有所述基极层的区域即单元区域形成有所述2层哑有源沟槽和所述有源沟槽。

4.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

在俯视观察时在形成有所述基极层的区域即单元区域形成有所述有源沟槽，

在俯视观察时在将所述单元区域包围的区域即末端区域、将所述末端区域包围的区域即外周区域、或栅极焊盘区域形成有所述2层哑有源沟槽。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述下层有源部的长度方向长度比所述上层哑部的长度方向长度长。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述下层有源部的长度方向长度比所述基极层的厚度大。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述下层有源部的上端位于所述基极层之中。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体元件，其中，

在所述基极层与所述漂移层之间具有与所述源极层相比第1导电型的杂质浓度低、与所述漂移层相比第1导电型的杂质浓度高的第1导电型的载流子积蓄层。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，

所述下层有源部的上端与所述载流子积蓄层的下端相比更靠下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述上层哑部与所述发射极电极连接。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体元件，其中，

所述上层哑部是氧化物或金属。

12.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述上层哑部与所述基极层接触。

13.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

将大于或等于2个所述有源沟槽并排的第1构造和将大于或等于2个所述2层哑有源沟槽并排的第2构造交替地设置。

14.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

将大于或等于3个所述有源沟槽并排的第1构造和将大于或等于3个所述2层哑有源沟槽并排的第2构造交替地设置。

15.根据权利要求13或14所述的半导体元件，其特征在于，

所述2层哑有源沟槽的数量比所述有源沟槽的数量多。

16.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

具有哑沟槽。