[发明专利]微刻结构、半导体器件模块及其塑封方法在审
| 申请号： | 202111314035.9 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114141748A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 袁忠发;晁苏洋 | 申请（专利权）人： | 联合汽车电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56;B23K26/60;B23K26/362;B23K101/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201206 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 半导体器件 模块 及其 塑封 方法 | ||
1.一种微刻结构，其特征在于，包括：多个形成在半导体器件模块覆金属基板非功能区域的微刻单元，所述微刻单元形成为凹陷结构。
2.如权利要求1所述的微刻结构，其特征在于：所述各微刻单元的形状和尺寸相同。
3.如权利要求1所述的微刻结构，其特征在于：所述各微刻单元呈现点阵式排列。
4.如权利要求1所述的微刻结构，其特征在于：相邻微刻单元位于覆金属基板所在平面的图形的几何中心之间距离范围为50um－150um。
5.如权利要求1所述的微刻结构，其特征在于：所述凹陷结构的最大深度范围为3um－20um。
6.如权利要求1所述的微刻结构，其特征在于：所述凹陷结构形成为光滑曲面体的一部分。
7.一种具有权利要求1-6任意一项所述微刻结构的半导体器件模块。
8.一种半导体器件模块塑封方法，其特征在于，包括：
进行塑封前，在半导体器件模块覆金属基板非功能区域通过激光刻蚀形成多个凹陷结构的微刻单元,然后再执行塑封。
9.如权利要求8所述的半导体器件模块塑封方法，其特征在于，还包括：在激光刻蚀前，执行干法或湿法清洗。
10.如权利要求8所述的微刻结构制造方法，其特征在于，还包括：在形成微刻单元后，执行氧化清洗，再执行塑封。
11.如权利要求9或10所述的半导体器件模块塑封方法，其特征在于：所述各微刻单元形成为光滑曲面体的一部分，所述各微刻单元的形状和尺寸相同，所述各微刻单元呈现点阵式排列，相邻微刻单元位于覆金属基板所在平面的图形的几何中心之间距离范围为50um－150um，所述凹陷结构的最大深度范围为3um－20um。
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