[发明专利]判决电平预测模型的训练数据生成方法、系统及存储介质有效
申请号: | 202111317064.0 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114118439B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 秦东润;刘晓健;王嵩 | 申请(专利权)人: | 北京得瑞领新科技有限公司 |
主分类号: | G06N20/00 | 分类号: | G06N20/00;G06Q10/04;G11C29/56 |
代理公司: | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人: | 李丽颖 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口路66*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 判决 电平 预测 模型 训练 数据 生成 方法 系统 存储 介质 | ||
1.一种判决电平预测模型的训练数据生成方法,其特征在于,所述方法包括:
获取存储单元在等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间之后处于不同温度环境下的跨温扫描数据;
根据所述跨温扫描数据对最优判决电平数据进行温度补偿数据拟合,将最优判决电平数据随温度拟合的直线斜率作为温度补偿系数;
获取存储单元处于指定温度环境下在不同等效驻留时间时进行数据读取的最优判决电平数据集合;
根据得到的温度补偿系数对获取的最优判决电平数据集合进行修正,得到判决电平预测模型的训练数据;
其中,所述根据得到的温度补偿系数对获取的最优判决电平数据集合进行修正,包括:
根据预设的补偿模型计算判决电平补偿值,补偿模型如下:
Voffset=PVO+DRO
其中,Voffset为判决电平补偿值,PVO和DRO分别表示写验证电平补偿值和默认判决电平补偿值,PVO的DRO的计算公式如下所示:
PVO=α×(Ttarget-Tp)
DRO=α×(Ttarget-Tr)
其中,公式TTarget表示预设的对标温度,α表示温度补偿系数,TP表示写数据温度,Tr表示读数据温度;
根据所述判决电平补偿值对最优判决电平数据集合进行修正。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取存储单元在等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间之后处于不同温度环境下的跨温扫描数据包括:
向所述存储单元写入预设的数据序列;
对所述存储单元所属存储颗粒的测试场景进行温度控制,监测存储单元在指定等效温度下的等效驻留时间;
在所述等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间之后,按照第一预设读取时间间隔周期性向存储器控制器发送数据扫描请求命令;
接收存储器控制器返回的VT扫描数据和当前存储颗粒的温度信息。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对存储单元所属存储颗粒的测试场景进行温度控制,包括:
控制放置有所述存储颗粒的温箱开启加热装置,进入升温阶段;
直到温箱内部环境温度达到预设的目标温度,控制温箱进入温度维持阶段;
进入温度维持阶段后获取存储单元在指定等效温度下的等效驻留时间;
在所述等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间之后,关闭温箱加热装置,进入降温阶段。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述目标等效驻留时间的取值满足以下要求:
其中,tB为选取的目标等效驻留时间,tA为存储单元从降温阶段开始到降温阶段结束的等效驻留时间,δ为预设的门限值。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述监测存储单元在指定等效温度下的等效驻留时间包括:
接收存储器控制器按照指定温度上报周期上报的存储颗粒温度信息,根据所述存储颗粒温度信息和当前时间计算存储单元从写数据时间到当前时间的等效驻留时间;或
接收存储器控制器在满足指定上报条件时上报的等效驻留时间监测结果,所述等效驻留时间监测结果是由存储器控制器根据获取的存储颗粒温度信息和当前时间计算出的存储单元从写数据时间到当前时间的等效驻留时间,其中,指定上报条件为计算出的等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间。
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