[发明专利]量子点的后处理方法及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点的后处理方法，其特征在于，包括：利用碱性物质对量子点进行处理。

2.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述量子点为刚制备得到的量子点；

优选地，所述量子点为Ⅲ-Ⅴ族量子点。

3.根据权利要求2所述的量子点的后处理方法，其特征在于，包括：利用非极性溶剂对所述量子点进行溶解，而后添加所述碱性物质；

优选地，包括：利用所述非极性溶剂对所述量子点进行溶解形成混合液，而后将所述混合液的温度调至40-120℃并添加所述碱性物质；接着，分离得到处理后的量子点。

4.根据权利要求2所述的量子点的后处理方法，其特征在于，包括：在利用碱性物质对所述量子点进行处理之前，对所述量子点进行至少一次非极性溶剂溶解-极性溶剂析出的操作。

5.根据权利要求4所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述非极性溶剂选自氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、环己烷、正庚烷、正己烷和正辛烷中的任意一种；

优选地，所述极性溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、乙酸和乙腈中的任意一种。

6.根据权利要求2-5任一项所述的量子点的后处理方法，其特征在于，还包括制备量子点，且制备量子点的步骤包括：将阳离子前驱体反应液与阴离子前驱体反应液在80-330℃进行反应；

优选地，所述阳离子前驱体反应液和所述阴离子前驱体反应液的浓度均为0.01-100mmol/ml；

优选地，制备量子点的步骤还包括：在进行反应的过程中补充所述阳离子前驱体反应液和/或阴离子前驱体反应液进行外延生长；

优选地，所述阳离子前驱体反应液和所述阴离子前驱体反应液的补充速率均为0.001-100ml/min；

优选地，补充所述阳离子前驱体反应液和所述阴离子前驱体反应液的条件：温度为150-300℃，惰性气体氛围。

7.根据权利要求6所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述阳离子前驱体反应液为含有III族的阳离子的前驱体溶液，所述阴离子前驱体反应液为含有V族的阴离子的前驱体溶液；

优选地，所述阳离子前驱体反应液的制备包括：在60℃-350℃条件下，将III族前驱体溶于溶剂形成阳离子前驱体原液，而后所述阳离子前驱体原液在惰性气体保护下，60℃-300℃条件下除水除氧；

优选地，所述阴离子前驱体反应液的制备包括：在60℃-350℃条件下，将V族前驱体溶于溶剂形成阴离子前驱体原液，而后所述阴离子前驱体原液在惰性气体保护下，在60℃-150℃条件下除水除氧。

8.根据权利要求7所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述碱性物质与所述III族前驱体的摩尔比为(0.01-0.3)：1。

9.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述碱性物质包括有机碱或无机碱，

优选地，所述碱性物质包括氢氧化物和含氮类物质；

优选地，所述碱性物质包括氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、氨水和羟胺中的任意一种。

10.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的量子点的后处理方法。