[发明专利]一种双激发压力记忆装置

权利要求书

1.一种双激发压力记忆装置，其特征在于，所述的双激发压力记忆装置是一种基于双激发压力记忆矩阵的仿生电子皮肤，双激发压力记忆矩阵记为DPM装置矩阵；

所述DPM装置矩阵由压电忆阻器阵列和压电OLED阵列，以均匀构型正交排列构成，压电忆阻器位于底部，压电OLED位于顶部，压电忆阻器与压电OLED之间涂有PI绝缘层，通过PI绝缘层作为粘合剂将压电忆阻器阵列和压电OLED阵列粘接，且压电忆阻器阵列的功能层被压电OLED阵列覆盖，依次建立集成的发光压力记忆矩阵；每组阵列中，压电忆阻器与压电OLED通过电路连接，然后与外部电源连接；

所述压电OLED利用其内部的氧化锌纳米线，以控制能带，在负载力作用下改变紫外照明强度；

所述压电忆阻器利用其内部的氧化锌纳米线产生压电电动势，使锂离子向氧化钼层移动；

所述压力记忆是指在压力作用下，DPM装置在压力作用下，其顶部的压电OLED处于发光状态，当压力移除后继续处于发光状态，直到施加偏置电压；

所述双激发是指压电忆阻器具有氧化钼功能层，由紫外激发和压电电位激发，实现压电忆阻器从高电阻状态HRS到低电阻状态LRS的切换；在施加偏置电压后，压电忆阻器可以从LRS切换回HRS，即记忆清除过程，从HRS和LRS周期性地转移，实现对压力的反复记忆和清除；

所述压电忆阻器的结构为，从底部开始向上依次为：PET基板（14）；Cr/Ag层（13），Cr厚度为4-6nm，Ag厚度为45-55nm；PMMA层（12），厚度1.8-2.1μm，ZnO嵌在PMMA中，厚度相同；MoO_x层（5），厚度为75-85nm；钯纳米颗粒（10），即Pd NP；Li-ITO层（9），厚度为65-75nm，Li-ITO层（9）提供反应所需的锂离子；

所述压电OLED结构为，从底部开始向上依次为：ITO导电玻璃（7），厚度为65-75nm；ZnO纳米线（5），厚度为1.8-2.1μm，嵌于SU8光刻胶（6）中；3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，即TAZ层（4），厚度为45-55nm；4,4'-二(9-咔唑)联苯，即CBP层（3），厚度为10-20nm；三氧化钨，即WO₃层（2），厚度为55-65nm；Al阳极（1）；

所述压电忆阻器和压电OLED之间旋涂一层聚酰亚胺，即PI，作为绝缘层，厚度为90-110nm。