[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置在审

申请号：	202111318553.8	申请日：	2021-11-09
公开（公告）号：	CN114517289A	公开（公告）日：	2022-05-20
发明（设计）人：	渡边幸夫;高藤哲也;内田博章;佐藤吉宏	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	C23C16/34	分类号：	C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	氮化方法装置
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【说明书】：

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。

技术领域

本公开涉及氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。

背景技术

例如，专利文献1、2提出了如下方法：重复夹着腔室内的残留气体的吹扫来交替供给含硅原料气体和含氮气体的工序，并且通过ALD(原子层沉积(Atomic LayerDeposition))法成膜为氮化硅膜。上述成膜方法中，工序中将基板的温度控制为300℃～650℃左右。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020-64924号公报

专利文献2：日本特开2000-114257号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供：在基板的温度为200℃以下的环境下能成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。

用于解决问题的方案

根据本公开的一方式，提供一种氮化硅膜的成膜方法，其为在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜的方法，所述成膜方法具备如下工序：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向前述处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，在前述(a)的工序后，停止前述包含卤化硅气体的气体的供给，将前述处理腔室内排气；工序(c)，在前述(b)的工序后，向前述处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，在前述(c)的工序后，向前述处理腔室内供给前述高频电力，产生等离子体；工序(e)，在前述(d)的工序后，停止前述含氮气体的供给和前述高频电力的供给，将前述处理腔室内排气；和，重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的前述氮化硅膜的X次(X≥1)前述(a)至前述(e)的工序，前述(a)至前述(e)的工序中将前述基板的温度控制为200℃以下。

发明的效果

根据一侧面，在基板的温度为200℃以下的环境下可以成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。

附图说明

图1为示出实施方式的有机EL器件的一例的截面示意图。

图2为示出实施方式的成膜装置的一例的截面示意图。

图3为示出实施方式的成膜方法的一例的流程图。

图4为示出实施方式的成膜方法的一例的时间图。

图5为示出实施方式和比较例的成膜方法的氮化硅膜的特性评价的一例的图。

附图标记说明

10 处理腔室

60 基板载置台

100 成膜装置