[发明专利]一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法

权利要求书

1.一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：包括所述两个阻值不同的电阻阵列；其中，阻值小的电阻阵列记为第一电阻阵列，阻值大的电阻阵列记为第二电阻阵列；

所述第一电阻阵列和第二电阻阵列通过金属线连接。

所述第二电阻阵列包括串联的(N-1)条矩形电阻和可修调背包电阻R_N；(N-1)条矩形电阻分别记为R₁、R₂、…、R_N-1；N为第二电阻阵列与第一电阻阵列的电阻比例。

2.根据权利要求1所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：所述第一电阻阵列为矩形电阻，电阻值记为R。

3.根据权利要求1所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：所述第二电阻阵列的阻值记为N*R。

4.根据权利要求1所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：(N-1)条矩形电阻等间距平行放置。

5.根据权利要求1所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：所述第一电阻阵列、(N-1)条矩形电阻和可修调背包电阻R_N上均开设有通孔；

(N-2)条金属连接线M通过通孔蛇形联接(N-1)条矩形电阻；

矩形电阻R_N-1和可修调金属背包电阻通过金属连接线M_N-1连接；

矩形电阻R₁和第一电阻阵列通过金属连接线M_N连接。

6.根据权利要求5所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：金属连接线M_N-1与第一电阻阵列等宽。

7.根据权利要求1所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：所述第一电阻阵列的两侧分别放置有矩形电阻条dummy图形I；所述矩形电阻条dummy图形I与第一电阻阵列不接触；

所述第二电阻阵列的两侧分别放置有矩形电阻条dummy图形II；所述矩形电阻条dummy图形II与第二电阻阵列不接触。

8.根据权利要求1所述一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构，其特征在于：所述第一电阻阵列的两端通过金属线引出；

所述第二电阻阵列的两端通过金属线引出。

9.一种权利要求1至8任一项所述应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构的修调方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)量测第一电阻阵列的实际阻值，记为R；

2)根据第一电阻阵列的阻值R，设定第二电阻阵列的修调目标值，记为N*R；

3)量测第二电阻阵列的实际阻值，记为R'；

4)判断(N*R-R')/(N*R)*100％＞1％是否成立，若是，则判定该电阻版图排布结构不合格，反之，该电阻版图排布结构合格，并进入步骤5)；

5)判断1％≥(N*R-R')/(N*R)*100％≥0.1％是否成立，若是，则进入步骤6)，否则，则进入步骤7)；

6)对第二电阻阵列中可修调背包电阻R_N的粗调区域进行激光修调，并返回步骤5)；

7)判断0.1％≥(N*R-R')/(N*R)≥0.02％，是否成立，若是，则进入步骤8)，否则，结束修调，得到修调后的电阻版图排布结构。

8)对第二电阻阵列中可修调背包电阻R_N的细调区域进行激光修调，并返回步骤7)。

10.根据权利要求9所述应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构的修调方法，其特征在于，采用四探针法量测第一电阻阵列的实际阻值和第二电阻阵列的实际阻值，量测点包括第一电阻阵列的两个端头和第二电阻阵列的两个端头。