[发明专利]一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结

权利要求书

1.一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，其特征在于：所述具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结包括自由层和势垒层，所述自由层和势垒层之间生成界面，并通过刻蚀处理所述界面的边缘形成环状缺陷结构。

2.如权利要求1所述的具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，其特征在于：所述环状缺陷结构的壁厚为0.1nm～2nm。

3.如权利要求1所述的具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，其特征在于：所述自由层的厚度为0.6nm～2nm。

4.如权利要求1所述的具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，其特征在于：所述自由层的材料选自Co、Fe、Ni、Pt、Pd、Ru、Ta、W、Ir、Rh、Mo、Hf、Cu、CoB、FeB、NiB、CoFe、NiFe、CoNi、CoFeNi、CoFeB、NiFeB、CoNiB、CoFeNiB、FePt、FePd、CoPt、CoPd、CoFePt、CoFePd、FePtPd、CoPtPd、CoFePtPd中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，其特征在于：所述势垒层的材料选自镁氧化合物、硅氧化合物、硅氮化合物、铝氧化合物、镁铝氧化合物、钛氧化合物层、钽氧化合物、钙氧化合物、铁氧化合物中的一种或多种。